[发明专利]一种全氧化物柔性光电探测器及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种全氧化物柔性光电探测器，其特征在于，依次包括柔性衬底，沉积于柔性衬底上的导电电极阵列，沉积于导电电极阵列上的SrCoO_x薄膜，沉积于SrCoO_x薄膜上的ZnO，沉积于ZnO薄膜上的导电电极阵列；

所述导电电极阵列位于SrCoO_x薄膜和ZnO薄膜的两侧，两侧条状导电电极阵列相互垂直，形成正交电极结构。

2.如权利要求1所述的全氧化物柔性光电探测器，其特征在于，所述的柔性衬底为聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚氯乙烯或聚酰亚胺薄膜。

3.如权利要求1所述的全氧化物柔性光电探测器，其特征在于，所述导电电极为ITO、Au、Pt、Ag或Cu薄膜材料。

4.如权利要求1所述的全氧化物柔性光电探测器，其特征在于，所述SrCoO_x薄膜的厚度为10-100nm，ZnO薄膜的厚度为20-400nm。

5.一种如权利要求1所述的全氧化物柔性光电探测器的制备方法，包括以下步骤：

(1)将柔性衬底裁剪为2cm×2cm的正方形,对裁剪后的衬底进行清洗，清洗过程如下：将衬底依次浸泡到丙酮、乙醇、去离子水中超声，取出后用干燥的N₂吹干；

(2)将柔性衬底置于蒸发台样品托上，用压针将金属硬质掩膜固定在柔性衬底上；将样品托放入蒸发台生长腔中，腔体抽真空，开启蒸发电源，缓慢地增加蒸发源加热电流进行导电电极阵列沉积，然后取出沉积有导电电极阵列的柔性衬底待用；

(3)SrCoO_x薄膜的制备：把沉积了导电电极阵列的柔性衬底转移到脉冲激光溅射沉积系统的样品台上，样品台放入生长腔中，将SrCoO_x靶材和ZnO靶材放置在靶台的不同位置；将腔体抽真空，通入O₂，将SrCoO_x靶材调节到生长位，开启激光器电源，利用脉冲激光溅射沉积法生长SrCoO_x薄膜；

(4)ZnO薄膜的制备：调节生长腔中O₂的压强，将ZnO靶材调节到生长位，开启激光器电源，利用脉冲激光溅射沉积法生长ZnO薄膜；

(5)脉冲激光沉积法生长薄膜后，将衬底转移到蒸发台样品托上，重复步骤二，其中，金属掩膜的固定方向与步骤二中的方向垂直；

(6)将沉积完成的衬底从蒸发台上取出，用尖头镊子取下硬质金属掩膜，即可制成柔性光电探测器。

6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，丙酮、乙醇、去离子水中分别超声5-20分钟。

7.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，真空优于1×10^-2Pa；加热电流范围为10A-15A；沉积速率为沉积的导电电极厚度为5-50nm；

步骤(3)中，抽真空后腔体的真空优于1×10^-3Pa，通入O₂后生长腔的压强为0.1-10.0Pa，激光器的脉冲能量为0.5-4J/cm²频率为1-20Hz，脉冲数为1000-15000次。

8.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤(4)中，调节后的腔室压强为0.01-10.0Pa，激光器的脉冲能量为0.5-4J/cm²频率为1-20Hz，脉冲数为1000-15000次；

步骤(4)通入O₂后的腔室压强为0.01-5.0Pa；

所述SrCoO_x薄膜、ZnO薄膜还能通过磁控溅射沉积法、热蒸发沉积法或电子束蒸发沉积法制备。

9.如权利要求1所述的全氧化物柔性光电探测器在紫外成像和紫外探测领域中的应用。