[发明专利]基于MOS管串联放电的高压发生器有效

专利信息
申请号: 202010546012.X 申请日: 2020-06-16
公开(公告)号: CN111614258B 公开(公告)日: 2021-08-17
发明(设计)人: 任守华;任翔 申请(专利权)人: 任守华
主分类号: H02M3/158 分类号: H02M3/158;H02M1/32;G01R1/00
代理公司: 济南信达专利事务所有限公司 37100 代理人: 潘悦梅
地址: 250101 山东省济*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 基于 mos 串联 放电 高压发生器
【说明书】:

发明公开了一种基于MOS管串联放电的高压发生器,属于电子和高压测量技术领域,要解决的技术问题为如何克服传统电阻降压的弊端。包括:MOS管串联放电电路,其包括N个均压电阻和N个串联的MOS管,每个MOS管的栅极和源极之间并联有电容器C,每个MOS管的源极和漏极之间并联有限压保护元件MOV;升压器的第一端与TN的源极电连接并连接输出A,第二端与T1的栅极电连接;限流电阻R的第一端与T1的漏极电连接,第二端连接输出B;稳压元件W的第一端与T1的栅极电连接;抗干扰电容C1的第一端与T1的栅极电连接,第二端与稳压元件W的第二端电连接并连接输出B。

技术领域

本发明涉及电子和高压测量技术领域,具体地说是一种基于MOS管串联放电的高压发生器。

背景技术

高压测量需要各种直流或交流高压发生器,许多被测对象都具有很大的电容量,例如高压电缆或者电容器等等。采用直流测量时,测量结束后需要人工对被测对象进行放电。但是在进行超低频交流高压测量时,就一直存在着被测电容的充放电过程。目前的电子开关升压技术是成熟的,但是碰到的最大问题是升压器只能升压,不能降压。因此目前直流高压发生器不考虑电容负载降压问题,而在超低频交流高压发生器上普遍采用电阻方式实现负载电容降压。

电阻降压带来两个严重问题:一个是在升压阶段,电阻成为升压器的负载,不仅增加额外发热,还减小了升压器的输出能力;另一个是在降压阶段,负载电容只能通过电阻放电降压,电压越低放电越慢,造成了波形的失真。而实际要求的特性恰恰相反,即升压阶段不要消耗电流,降压阶段要随着升压器的电压降低而快速同步降低负载电容的电压。

基于上述问题,克服传统电阻降压的弊端是需要解决的技术问题。

发明内容

本发明的技术任务是针对以上不足,提供一种基于MOS管串联放电的高压发生器,来克服传统电阻降压的弊端。

本发明提供一种基于MOS管串联放电的高压发生器,包括:

MOS管串联放电电路,所述MOS管串联放电电路包括N个均压电阻和N个串联的MOS管,所述N个MOS管分别为T1、T2、……、TN,所述N个均压电阻分别为R1、R2、……、RN,上述N个MOS个管中,Ti的源极与Ti+1的漏极电连接,Ti的栅极与Ri的第一端电连接,Ri的第二端与Ti+1的栅极电连接,TN的栅极与RN的第一端电连接,RN的第二端与TN的源极电连接,每个MOS管的栅极和源极之间并联有电容器C,每个MOS管的源极和漏极之间并联有限压保护元件MOV;上述MOS管T2、……、TN中,每个MOS管的栅极与漏极之间并联有限压保护元件TVS;其中,1≤i≤N-1,Ti表示第i个MOS管,Ri表示第i个均压电阻;

升压器,所述升压器的第一端与TN的源极电连接并连接输出A,升压器的第二端与T1的栅极电连接;

限流电阻R,所述限流电阻R的第一端与T1的漏极电连接,限流电阻R的第二端连接输出B;

稳压元件W,所述稳压元件W的第一端与T1的栅极电连接;

抗干扰电容C1,所述抗干扰电容C1的第一端与T1的栅极电连接,抗干扰电容C1的第二端与稳压元件W的第二端电连接并连接输出B;

当升压器升压时,T1的栅极与漏极之间为截止电压,上述N个MOS管均关断,升压器通过稳压元件W对外供电;

当升压器降压时,T1的栅极与漏极之间为导通电压,上述N个MOS管均导通并对负载放电,放电时,稳压元件W与限流电阻R配合限制最大电流。

作为优选,所述高压发生器共一个,用于实现单极性输出;所述高压发生器共两个并反向串接,用于实现双极性输出。

作为优选,所述MOS管均为P沟道MOS管,所述升压器的负极与TN的源极电连接,输出A为负,所述升压器的正极与T1的栅极电连接,输出B为正,稳压元件W的正极与T1的栅极电连接,稳压元件W的负极与输出B电连接。

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