[发明专利]基于MOS管串联放电的高压发生器有效

专利信息
申请号: 202010546012.X 申请日: 2020-06-16
公开(公告)号: CN111614258B 公开(公告)日: 2021-08-17
发明(设计)人: 任守华;任翔 申请(专利权)人: 任守华
主分类号: H02M3/158 分类号: H02M3/158;H02M1/32;G01R1/00
代理公司: 济南信达专利事务所有限公司 37100 代理人: 潘悦梅
地址: 250101 山东省济*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 基于 mos 串联 放电 高压发生器
【权利要求书】:

1.基于MOS管串联放电的高压发生器,其特征在于包括:

MOS管串联放电电路,所述MOS管串联放电电路包括N个均压电阻和N个串联的MOS管,所述N个MOS管分别为T1、T2、……、TN,所述N个均压电阻分别为R1、R2、……、RN,上述N个MOS管中,Ti的漏极与Ti+1的源极电连接,Ti的栅极与Ri的第一端电连接,Ri的第二端与Ti+1的栅极电连接,TN的栅极与RN的第一端电连接,RN的第二端与TN的漏 极电连接,每个MOS管的栅极和漏极之间并联有电容器C,每个MOS管的源极和漏极之间并联有限压保护元件MOV;上述MOS管T2、……、TN中,每个MOS管的栅极与源极之间并联有限压保护元件TVS;其中,1≤i≤N-1,Ti表示第i个MOS管,Ri表示第i个均压电阻;

升压器,所述升压器的第一端与TN的漏极电连接并连接输出A,升压器的第二端与T1的栅极电连接;

限流电阻R,所述限流电阻R的第一端与T1的源极电连接,限流电阻R的第二端连接输出B;

稳压元件W,所述稳压元件W的第一端与T1的栅极电连接;

抗干扰电容C1,所述抗干扰电容C1的第一端与T1的栅极电连接,抗干扰电容C1的第二端与稳压元件W的第二端电连接并连接输出B;

当升压器升压时,T1的栅极与源极之间为截止电压,上述N个MOS管均关断,升压器通过稳压元件W对外供电;

当升压器降压时,T1的栅极与源极之间为导通电压,上述N个MOS管均导通并对负载放电,放电时,稳压元件W与限流电阻R配合限制最大电流。

2.根据权利要求1所述的基于MOS管串联放电的高压发生器,其特征在于所述高压发生器共一个,用于实现单极性输出;所述高压发生器共两个并反向串接,用于实现双极性输出,所述两个高压发生器分别为第一高压发生器和第二高压发生器,第一高压发生器的输出A和第二高压发生器的输出A电连接,所述第一高压发生器的输出B与负载电容的第一端电连接,所述第二高压发生器的输出B和负载电容的第二端电连接。

3.根据权利要求1或2所述的基于MOS管串联放电的高压发生器,其特征在于所述MOS管均为N沟道MOS管,所述升压器的正极与TN的漏极电连接,所述高压发生器的输出A为正,所述升压器的负极与T1的栅极电连接,所述高压发生器的输出B为负,稳压元件W的负极与T1的栅极电连接,稳压元件W的正极与所述高压发生器的输出B电连接。

4.根据权利要求1或2所述的基于MOS管串联放电的高压发生器,其特征在于所述N个MOS管分为多组,每组MOS装配在一个电路板上,多个电路板堆叠达到需要的电压;上述堆叠的电路板之间的间隙用于强制风冷;

或者,用于装配所述高压发生器的电路板采用高密度元件安装,并采用绝缘油冷却。

5.根据权利要求1或2所述的基于MOS管串联放电的高压发生器,其特征在于所述N个均压电阻的阻值相同,且均压电阻的阻值能够满足如下条件:不会明显增加升压器负载并产生额外发热,且能够吸收表面漏电并避免降低电路响应速度。

6.根据权利要求1或2所述的基于MOS管串联放电的高压发生器,其特征在于所述限压保护元件TVS能够使得MOS管充分导通,且能够保护MOS管的栅极不被击穿。

7.根据权利要求1或2所述的基于MOS管串联放电的高压发生器,其特征在于所述电容器C的电容量能够满足以下条件:能够消除振荡,且不会明显降低电路响应速度,且电容器C的耐压满足MOS管最高工作电压要求。

8.根据权利要求1或2所述的基于MOS管串联放电的高压发生器,其特征在于所述限压保护元件MOV的击穿电压低于MOS管的最高工作电压,所述限压保护元件MOV包括但不限于压敏电阻。

9.根据权利要求1或2所述的基于MOS管串联放电的高压发生器,其特征在于所述稳压元件W为单向稳压,当所述升压器的输出电压高于负载电压时,稳压元件W呈二极管导通特性,以避免消耗升压器的电压;当升压器的输出电压低于负载电压时,稳压元件W用于稳压,并配合T1源 极的限流电阻R防止MOS管导通电流过大。

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