[发明专利]一种提高高效晶硅异质结太阳能电池短路电流的方法在审
| 申请号： | 202010545183.0 | 申请日： | 2020-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN111739986A | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 凌俊;郭小勇;易治凯 | 申请（专利权）人： | 江苏爱康能源研究院有限公司;浙江爱康光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/20 | 分类号： | H01L31/20;H01L31/0747;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 江阴市扬子专利代理事务所(普通合伙) 32309 | 代理人： | 张晓斐 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 高效 晶硅异质结 太阳能电池 短路 电流 方法 | ||
1.一种提高高效晶硅异质结太阳能电池短路电流的方法，它包括以下内容：（1）对尺寸为156.75mm、厚度为180um的N型硅衬底进行制绒、清洗处理；（2）通过PECVD制备双面本征非晶硅层；（3）选取N型非晶硅膜为受光面掺杂层，使用等离子体增强化学气相沉积制备n型非晶硅掺杂层；（4）使用等离子体化学气相沉积制备p型非晶硅掺杂层；（5）使用PVD、RPD方法沉积TCO导电膜；（6）通过丝网印刷形成正背面Ag电极；（7）固化使得银栅线与TCO导电膜之间形成良好的欧姆接触；（8）进行测试电池的电性能；其特征在于：制绒清洗处理的流程为：进料后，先经过预清洗把硅片表面的有机物等污染物清除，再通过粗抛把切割损伤层去除，水洗后再制绒，再水洗然后碱洗，再经过两道水洗和酸洗，最后烘干后出料。
2.根据权利要求1所述的一种提高高效晶硅异质结太阳能电池短路电流的方法，其特征在于：PECVD制备双面本征非晶硅层的沉积功率为18~20 mW/cm²，沉积速率为2~3A/s。
3.根据权利要求1所述的一种提高高效晶硅异质结太阳能电池短路电流的方法，其特征在于：所述非晶硅本征层（2）厚度为5~10nm。
4.根据权利要求1所述的一种提高高效晶硅异质结太阳能电池短路电流的方法，其特征在于：所述n型非晶硅掺杂层厚度为4~8nm，所述p型非晶硅掺杂层的厚度为7~15 nm。
5.根据权利要求1所述的一种提高高效晶硅异质结太阳能电池短路电流的方法，其特征在于：所述TCO导电膜的膜厚为70~110nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
