[发明专利]一种薄膜晶体管、阵列基板、显示面板及显示装置

说明书

本发明提供了一种薄膜晶体管、阵列基板、显示面板及显示装置，涉及显示技术领域。其中，薄膜晶体管包括有源层、层间绝缘层和金属电极层，有源层包括导体化区域，层间绝缘层位于导体化区域与金属电极层之间的部分设有过孔，在导体化区域宽度方向上，和/或垂直于宽度方向的导体化区域长度方向上，过孔在导体化区域上的正投影至少覆盖导体化区域的2/3。本发明中，由于过孔孔径越大，过孔处接触电阻越小，因此，过孔在导体化区域上的正投影至少覆盖导体化区域的2/3，可以保证过孔与导体化区域有足够大的接触面积，如此，通过增大层间绝缘层上过孔的孔径，可以减小过孔处接触电阻，进而降低薄膜晶体管过孔的RC Delay效应。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种薄膜晶体管、阵列基板、显示面板及显示装置。

背景技术

在现有的薄膜晶体管中，层间绝缘层上设置有用于连接金属电极层和有源层导体化区域的过孔，随着显示器件频率和分辨率的提高，金属电极层厚度增加、线宽减小，相应地，层间绝缘层上该过孔的尺寸通常也较小，因此，过孔处的接触电阻较大，进而使得过孔处的RC Delay效应较为明显，严重影响显示器件的显示效果。

发明内容

本发明提供一种薄膜晶体管、阵列基板、显示面板及显示装置，以解决现有薄膜晶体管中，层间绝缘层上用于连接金属电极层和有源层导体化区域的过孔的尺寸较小，过孔处接触电阻较大，使得过孔处的RC Delay效应明显的问题。

为了解决上述问题，本发明公开了一种薄膜晶体管，包括有源层、层间绝缘层和金属电极层，所述有源层包括导体化区域，所述层间绝缘层位于所述导体化区域与所述金属电极层之间的部分设置有过孔，在所述导体化区域的宽度方向上，和/或垂直于所述宽度方向的所述导体化区域的长度方向上，所述过孔在所述导体化区域上的正投影至少覆盖所述导体化区域的2/3。

可选地，在所述导体化区域的宽度方向上，所述过孔的孔径大于或等于所述导体化区域的宽度。

可选地，在垂直于所述宽度方向的所述导体化区域的长度方向上，所述过孔的孔径大于或等于所述导体化区域的长度。

可选地，所述金属电极层包括源极层和漏极层。

可选地，所述有源层还包括沟道区，所述薄膜晶体管还包括覆盖所述沟道区的栅极绝缘层，以及形成在所述栅极绝缘层上的栅极，所述层间绝缘层覆盖所述栅极。

可选地，所述薄膜晶体管为顶栅薄膜晶体管。

为了解决上述问题，本发明还公开了一种阵列基板，包括上述薄膜晶体管。

为了解决上述问题，本发明还公开了一种显示面板，包括上述阵列基板。

为了解决上述问题，本发明还公开了一种显示装置，包括上述显示面板。

与现有技术相比，本发明包括以下优点：

在本发明实施例中，薄膜晶体管包括有源层、层间绝缘层和金属电极层，有源层包括导体化区域，层间绝缘层位于导体化区域与金属电极层之间的部分设置有过孔，在导体化区域的宽度方向上，和/或垂直于宽度方向的导体化区域的长度方向上，过孔在导体化区域上的正投影至少覆盖导体化区域的2/3。在本发明实施例中，由于过孔的孔径越大，过孔处的接触电阻越小，因此，在导体化区域的宽度方向和/或长度方向上，过孔在导体化区域上的正投影至少覆盖导体化区域的2/3，也即是可以保证过孔与导体化区域有足够大的接触面积，如此，通过增大层间绝缘层上过孔的孔径，可以减小过孔处的接触电阻，进而可以降低薄膜晶体管过孔的RC Delay效应。

附图说明

图1示出了本发明实施例一的一种薄膜晶体管的截面示意图；

图2示出了本发明实施例一的一种薄膜晶体管的局部俯视示意图；