[发明专利]液滴驱动器件的制备方法在审

专利信息
申请号: 202010470648.0 申请日: 2020-05-28
公开(公告)号: CN112007703A 公开(公告)日: 2020-12-01
发明(设计)人: 刘立滨;许诺;臧金良;张涵;李平 申请(专利权)人: 北京机械设备研究所
主分类号: B01L3/00 分类号: B01L3/00
代理公司: 北京云科知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11483 代理人: 张飙
地址: 100854 北京市海淀区永*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 驱动 器件 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种液滴驱动器件的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:

在衬底上制备互连金属层,所述互连金属层包括m行×n列的行向金属条和列向金属条,所述互连金属层每行中的行向金属条和列向金属条间隔排布,所述互连金属层每列中的行向金属条和列向金属条间隔排布;

在所述互连金属层上制备绝缘层;

在每个所述行向金属条和所述列向金属条上形成未被绝缘层覆盖的接触孔;

在所述绝缘层上制备导电金属层,所述导电金属层包括m行×n列的阵列电极,每个所述行向金属条通过具备的接触孔连接所在行中对应位置的电极,每个所述列向金属条通过具备的接触孔连接所在列中对应位置的电极,使得同一行中的行向金属条所连接的电极均电连于同一条行向引线,同一列中的列向金属条所连接的电极均电连于同一条列向引线。

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述在衬底上制备互连金属层,包括:

在所述衬底上淀积第一层导电层,对所述第一层导电层进行第一次图形化形成所述互连金属层,所述第一次图形化包括剥离工艺、光刻与干法刻蚀、或,光刻与湿法刻蚀。

3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述在所述互连金属层上制备绝缘层,包括:

利用化学气相淀积、物理气相淀积或旋涂工艺,在所述互连金属层上淀积所述绝缘层,所述化学气相淀积包括等离子体化学气相淀积(PECVD)、原子层淀积(ALD)、或,离子耦合等离子体化学气相淀积(ICP-CVD),所述物理气相淀积包括溅射或蒸发。

4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述在每个所述行向金属条和所述列向金属条上形成未被绝缘层覆盖的接触孔,包括:

通过光刻对所述绝缘层进行第二次图形化,以在所述行向金属条和所述列向金属条上形成未被绝缘层覆盖的接触孔,所述第二次图形化包括湿法和干法刻蚀接触孔,或直接光刻形成接触孔,

其中:每行中位于所述互连金属层第一侧边处的第一类行向金属条上形成一个接触孔,以连接所在行中位于所述第一侧边位置处的一个电极;每行中其余位置处的第二类行向金属条上形成两个间隔的接触孔,以连接所在行中间隔设置的两个电极;

每列中位于所述互连金属层第二侧边处的第一类列向金属条上形成一个接触孔,以连接所在列中位于所述第二侧边位置处的一个电极;每列中其余位置处的第二类列向金属条上形成两个间隔的接触孔,以连接所在列中间隔设置的两个电极;

所述第一侧边和所述第二侧边相邻。

5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述在所述绝缘层上制备导电金属层,包括:

在所述绝缘层上淀积第二层导电层,对所述第二层导电层进行第三次图形化形成所述导电金属层,所述第三次图形化包括剥离工艺、光刻与干法刻蚀、或,光刻与湿法刻蚀。

6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,在所述绝缘层上制备导电金属层之后,所述制备方法还包括:

采用淀积方式在所述导电金属层上制备介质层;

在所述介质层表面淀积超疏水材料或者结构超疏水材料,形成第一超疏水层。

7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,在形成第一超疏水层之后,所述制备方法还包括:

在所述第一超疏水层上设置封闭式的顶部盖板,所述顶部盖板包括从下至上的第二超疏水层、顶部导电层和顶部衬底。

8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述顶部衬底可以为硅片、玻璃片或聚合物塑料材料,所述顶部导电层为金属导电材料,所述第一超疏水层和所述第二超疏水层均为特氟龙或cytop材料。

9.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述在每个所述行向金属条和所述列向金属条上形成未被绝缘层覆盖的接触孔,包括:

在位于所述互连金属层第一侧边的行向金属条和位于所述互连金属层第二侧边的竖向金属条上形成一个接触孔,以用于连接所述接触孔所在位置处的一个电极,所述第一侧边和所述第二侧边相邻;

在其余行向金属条和列向金属条两端上分别形成一个接触孔,每个金属条上的两个接触孔之间的间距大于预定间距,以用于连接间隔设置的两个电极。

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