[发明专利]集成器件制造方法及相关产品

权利要求书

1.一种集成器件制造方法，其特征在于，应用于器件制造系统，所述器件制造系统用于制造集成有滤波器和功率放大器的集成器件，所述滤波器包括基于薄膜体声波谐振器FBAR的射频滤波器，所述功率放大器包括基于氮化镓高电子迁移率晶体管GaN HEMT的射频功率放大器；所述方法包括：

提供晶圆，并在所述晶圆上设置第一外延层和第二外延层，得到第一形态集成器件，所述第一外延层为具有压电特性的压电层，所述第一外延层、所述第二外延层和所述晶圆形成由上至下的位置关系，所述第二外延层为氮化镓GaN材料层，所述第一外延层的初始厚度满足所述滤波器的设计要求；所述第二外延层的初始厚度满足所述功率放大器的设计要求；

针对所述第一形态集成器件执行预设的正面制造工艺，得到第二形态集成器件，所述第二形态集成器件包括所述滤波器的滤波器第一外延层和滤波器第二外延层，以及包括所述功率放大器的功率放大器第一外延层和功率放大器第二外延层，所述滤波器第一外延层和所述滤波器第二外延层形成的滤波器外延结构与所述功率放大器第一外延层和所述功率放大器第二外延层形成的功率放大器外延结构之间设置有隔离凹槽，且所述功率放大器第一外延层的厚度满足所述功率放大器的设计要求；

针对所述第二形态集成器件执行预设的背面制造工艺，得到所述集成器件，所述背面制造工艺包括制作所述滤波器的下空腔和下电极，以及制作所述功率放大器的背孔、背孔金属层和背面金属层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二形态集成器件还包括相对于所述滤波器外延结构设置的滤波器正面组件、相对于所述功率放大器外延结构设置的功率放大器正面组件、连接所述滤波器正面组件和所述功率放大器正面组件的跨接金属连线和所述晶圆；所述针对所述第一形态集成器件执行预设的正面制造工艺，得到第二形态集成器件，包括：

刻蚀所述第一外延层和所述第二外延层形成所述隔离凹槽；

针对所述滤波器外延结构执行滤波器正面制造工艺，形成所述滤波器正面组件；

针对所述功率放大器外延结构执行功率放大器正面制造工艺，形成所述功率放大器正面组件；

在所述滤波器正面组件和所述功率放大器正面组件之间设置跨接金属连线。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述针对所述滤波器外延结构执行滤波器正面制造工艺，形成滤波器正面组件，包括：

在所述滤波器第一外延层上方设置上电极；

刻蚀所述滤波器第一外延层形成通孔；

在所述上电极制作第一金属连线以形成所述上电极的引脚，穿过所述通孔设置第二金属连线以形成下电极的引脚；

通过晶圆极封装WLP方法在所述上电极上方设置盖帽以形成上空腔，所述上电极的引脚和所述下电极的引脚穿过所述盖帽并向外延伸至预设距离。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述通过晶圆极封装WLP方法在所述上电极上方设置盖帽以形成上空腔之前，所述方法还包括：

在所述滤波器上电极上方设置用于调节谐振器频率的质量载荷的第一结构；和/或，

在所述滤波器第一外延层或所述上电极上方设置用于抑制杂散波的第二结构；和/或，

在所述滤波器第一外延层或所述上电极上方设置用于滤波器温度补偿的薄膜层；和/或，

在所述上电极设置滤波器钝化层以保护所述滤波器，所述滤波器钝化层包括绝缘材料。

5.根据权利要求2-4任一项所述的方法，其特征在于，所述针对所述功率放大器外延结构执行功率放大器正面制造工艺，形成功率放大器正面组件，包括：

减薄处理所述功率放大器第一外延层以达到所述功率放大器的设计要求；

在所述功率放大器第一外延层上方制作源极和漏极，以及在所述功率放大器第一外延层的上端面制作功率放大器钝化层；

在所述功率放大器第一外延层上方制作栅极。