[发明专利]一种种植杆卡上制作聚醚醚酮支架的数字化方法

权利要求书

1.一种种植杆卡上制作聚醚醚酮支架的数字化方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：对常规完成的种植杆模型进行预处理；

步骤2：使用牙科模型扫描仪扫描种植杆模型，获得模型STL数据；

步骤3：使用设计软件确定种植杆模型的边缘线，边缘线厚度设定为第一预设厚度，使边缘线逐点连为一圈；支架厚度设定为第二预设厚度；

步骤4：使用设计软件生成第二预设厚度的杆上方的支架数据；

步骤5：使用设计软件在支架两侧添加游离的支架伸出部分，加强义齿的支撑强度；

步骤6：根据设计软件的支架数据，使用聚醚醚酮材料加工支架；检测及返修；

所述根据设计软件的支架数据，使用聚醚醚酮材料加工支架包括：将设计好的支架数据进行切削加工编程运算，操控机床切削加工聚醚醚酮材料制作支架；

所述步骤6机床包括：

位置传感器，设置在机床的切削刀具或刀具夹具上；

压力传感器，设置在机床的工件夹具的夹持端的凹槽内；

控制器，连接在机床上；

报警器，连接在机床上，所述报警器、位置传感器、压力传感器分别与控制器电连接；

所述机床连接有电源电路，所述电源电路包括：

主电源，负极接地；

二极管(D1)，正极连接主电源负极；

第二电容(C2)，一端连接主电源正极，另一端连接二极管(D1)负极；

第一电阻(R1)，一端连接主电源正极，另一端连接二极管(D1)负极；

运算放大器(U1)，负输入端连接二极管(D1)负极，电源端连接主电源正极；

第三电阻(R3)，第一端连接运算放大器(U1)正输入端，第二端接地；

第二电阻(R2)，一端连接第三电阻(R3)第一端及运算放大器(U1)正输入端；

第一场效应晶体管(Q4)，漏极连接第二电阻(R2)另一端，栅极连接运算放大器(U1)输出端；

第二场效应晶体管(Q5)，栅极连接运算放大器(U1)输出端及第一场效应晶体管(Q4)栅极，所述第二场效应晶体管(Q5)源极连接主电源正极；

辅助电池，所述第二场效应晶体管(Q5)漏极连接第一场效应晶体管(Q4)源极以及连接辅助电池的正极，所述辅助电池负极接地以及连接机床的负电源端和控制器的电源负极；

继电器(J)，所述继电器(J)的线圈一端连接主电源正极，另一端接地，所述继电器(J)的第一触点连接主电源正极，第二触点连接第二场效应晶体管(Q5)的漏极；

开关(K)，一端连接继电器(J)的第三触点；

集成芯片(U2)，一端连接开关(K)另一端，所述集成芯片(U2)另一端连接机床的正电源端；

所述压力传感器通过信号传输电路与控制器连接，所述信号传输电路包括：

第六电阻(R6)，一端连接压力传感器输出端，另一端连接第一电源(V1)；

第五电阻(R5)，第一端连接压力传感器输出端，第二端连接控制器；

第一电容(C1)，一端连接第五电阻(R5)第二端，另一端接地；

第四电阻(R4)，一端连接压力传感器输出端；

第一晶体三极管(Q1)，基极连接第四电阻(R4)另一端，发射极连接第一电源(V1)；

第二晶体三极管(Q2)，基极连接第一晶体三极管(Q1)集电极，发射极连接第一电源(V1)；

第七电阻(R7)，一端连接第二晶体三极管(Q2)基极，另一端接地；

第三晶体三极管(Q3)，发射极连接第一电源(V1)，集电极连接控制器；

第八电阻(R8)，一端连接第二电源(V2)，另一端连接第三晶体三极管(Q3)基极。

2.根据权利要求1所述的一种种植杆卡上制作聚醚醚酮支架的数字化方法，其特征在于，

所述步骤2中第一预设厚度设定为0.5毫米，第二预设厚度设定为0.5毫米。

3.根据权利要求1所述的一种种植杆卡上制作聚醚醚酮支架的数字化方法，其特征在于，

所述步骤1中预处理包括：用蜡填平种植螺丝孔；在种植杆模型上喷一层扫描粉。