[发明专利]一种驱动放大器及模数转换器有效

专利信息
申请号: 202010410010.8 申请日: 2020-05-15
公开(公告)号: CN111313852B 公开(公告)日: 2020-09-11
发明(设计)人: 刘森;李建平;刘海彬;刘兴龙;史林森;张均安 申请(专利权)人: 微龛(广州)半导体有限公司
主分类号: H03F3/45 分类号: H03F3/45;H03M1/12
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 林丽丽
地址: 510663 广东省广州市高新技术*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 驱动 放大器 转换器
【权利要求书】:

1.一种驱动放大器,其特征在于,所述驱动放大器包括:第一级源跟随器、连接于所述第一级源跟随器输出端的第二级源跟随器,及连接于所述第一级源跟随器和所述第二级源跟随器的反馈单元;其中,

所述第一级源跟随器用于对输入信号进行驱动增强以驱动所述第二级源跟随器;

所述第二级源跟随器用于在所述第一级源跟随器的驱动下,对所述第一级源跟随器的输出信号进行驱动增强后输出,所述第二级源跟随器还形成一负反馈环路;

所述反馈单元与所述第一级源跟随器及所述第二级源跟随器形成一正反馈环路,用于根据所述第二级源跟随器的输出动态调整所述第一级源极跟随器中PMOS输入管的漏端电压,以稳定所述PMOS输入管的直流工作点;

所述第二级源跟随器包括NMOS管,所述NMOS管的栅极端连接于所述第一级源跟随器的输出端,所述NMOS管的漏极端接入电源电压,所述NMOS管的源极端连接于所述反馈单元,同时作为所述第二级源跟随器的输出端;其中,所述NMOS管的源极端与其漏极端构成一负反馈环路,当ADC采样时,所述NMOS管的输出端给电容充电,所述NMOS管的源极端电压被拉低,此时所述NMOS管的栅源电压会迅速增大,从而使流过所述NMOS管的电流增大,以此迅速增强其给电容的输电能力,直至电容完全建立到输入对应的直流点。

2.根据权利要求1所述的驱动放大器,其特征在于,所述第一级源跟随器包括:第一电流源及PMOS输入管;其中,所述第一电流源的一端接入电源电压,所述第一电流源的另一端连接于所述PMOS输入管的源极端,同时作为所述第一级源跟随器的输出端,所述PMOS输入管的栅极端接入所述输入信号,所述PMOS输入管的漏极端连接于所述反馈单元。

3.根据权利要求2所述的驱动放大器,其特征在于,所述PMOS输入管的衬底端与其源极端短接。

4.根据权利要求1所述的驱动放大器,其特征在于,所述NMOS管的衬底端与其源极端短接。

5.根据权利要求1所述的驱动放大器,其特征在于,所述反馈单元包括:第一PMOS管、第二PMOS管及第二电流源;其中,所述第一PMOS管的栅极端连接于所述第一PMOS管的漏极端及所述第二PMOS管的栅极端,所述第一PMOS管的源极端连接于所述第二级源跟随器的输出端,所述第一PMOS管的漏极端连接于所述第二电流源的一端,所述第二电流源的另一端接地,所述第二PMOS管的源极端连接于所述第一级源跟随器,所述第二PMOS管的漏极端接地。

6.一种模数转换器,其特征在于,所述模数转换器包括:如权利要求1-5任一项所述的驱动放大器,连接于所述输入信号和采样电容之间。

7.根据权利要求6所述的模数转换器,其特征在于,所述模数转换器包括逐次逼近型模数转换器。

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