[发明专利]一种适用于升降压变换器的频率调节电路

权利要求书

1.一种适用于升降压变换器的频率调节电路，其特征在于，包括NMOS管MN1～MN4、PMOS管MP1～MP4、三极管NPN1～NPN4、电阻R1～R4、二极管D1、电流源I1～I4、运算放大器AMP1和比较器COMP1；其中，

NMOS管MN1漏端接三极管NPN1基极，栅端接NMOS管MN4栅端，源端接输出端V_OUT-；NMOS管MN2漏端接电阻R3第一端，栅端接比较器COMP1输出端，源端接第二电阻R2第一端；NMOS管MN3漏端接PMOS管MP3漏端，栅端接运算放大器AMP1输出端，源端接电阻R4第一端；NMOS管MN4漏端接PMOS管MP4漏端，栅端接PMOS管MP4漏端，源端接输出端V_OUT-；

PMOS管MP1漏端接其栅端，栅端接三极管NPN4集电极，源端接输入端V_IN；PMOS管MP2漏端接电阻R1第一端，栅端接PMOS管MP1栅端，源端接输入端V_IN；PMOS管MP3漏端接NMOS管MN3漏端，栅端接PMOS管MP4栅端，源端接输入端V_IN；PMOS管MP4漏端接NMOS管MN4栅端，栅端接PMOS管MP3栅端，源端接输入端V_IN；

三极管NPN1集电极接电流源I1负端，基极接NMOS管MN1漏端，发射极接输出端V_OUT-；三极管NPN2集电极接输入端V_IN，基极接电流源I2负端，发射极接NMOS管MN1漏端；三极管NPN3集电极接输入端V_IN，基极接NPN三极管NPN2基极，发射极接电流源I4正端；三极管NPN4集电极接PMOS管MP1漏端，基极接电流源I4正端，发射极接输出端V_OUT-；

电阻R1第一端接PMOS管MP2漏端，第二端接输出端V_OUT-；电阻R2第一端接NMOS管MN2源端，第二端接输出端V_OUT-；电阻R3第一端接NMOS管MN2漏端，第二端接输出端V_OUT-；电阻R4第一端接NMOS管MN3源端，第二端接输出端V_OUT-；

电流源I1～I3正端均接输入端V_IN；电流源I1负端接三极管NPN1集电极，电流源I2负端接三极管NPN2基极，电流源I3负端接电阻R3第一端；电流源I4正端接三极管NPN3发射极，负端接输出端V_OUT-；

二极管D1正端接三极管NPN2基极，负端接三极管NPN1集电极；运算放大器AMP1正输入端接NMOS管MN2漏端，负输入端接NMOS管MN3源端，输出端接NMOS管MN3栅端；比较器COMP1正输入端接PMOS管MP2漏端，负输入端接参考电压VREF1，输出端接NMOS管MN2栅端。

2.如权利要求1所述的适用于升降压变换器的频率调节电路，其特征在于，所述电流源I4包括运算放大器AMP2、PMOS管MP11和MP12、NMOS管MN11以及电阻R11；

PMOS管MP11源端接输入端V_IN，漏端接NMOS管MN11漏端，栅端接PMOS管MP12栅端；PMOS管MP12源端接输入端V_IN，漏端接自身栅端；

NMOS管MN11栅端接运算放大器AMP2输出端，源端通过电阻R11接输出端V_OUT-；

运算放大器AMP2正输入端接地GND，负输入端接NMOS管MN11源端。

3.如权利要求1所述的适用于升降压变换器的频率调节电路，其特征在于，所述电流源I1包括运算放大器AMP3、PMOS管MP21和MP22、NMOS管MN21以及电阻R21；

PMOS管MP21源端接输入端V_IN，漏端接NMOS管MN21漏端，栅端接PMOS管MP22栅端；PMOS管MP22源端接输入端V_IN，漏端接自身栅端；

NMOS管MN21栅端接运算放大器AMP3输出端，源端通过电阻R21接输出端V_OUT-；

运算放大器AMP3正输入端接输入端V_IN，负输入端接NMOS管MN21源端。