[发明专利]像素驱动电路及其驱动方法、显示基板有效

专利信息
申请号: 202010364694.2 申请日: 2020-04-30
公开(公告)号: CN111445848B 公开(公告)日: 2021-10-08
发明(设计)人: 王丽;皇甫鲁江 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G09G3/3208 分类号: G09G3/3208
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 成亚婷
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 像素 驱动 电路 及其 方法 显示
【权利要求书】:

1.一种像素驱动电路,其特征在于,包括:数据写入子电路和防漏电子电路;

所述数据写入子电路与第一扫描信号端、数据信号端和发光控制子电路耦接;所述数据写入子电路被配置为:在数据写入阶段,响应于来自所述第一扫描信号端的栅扫描信号和所述数据信号端的数据信号,存储发光补偿信号;以及在发光阶段,根据所述发光补偿信号辅助控制所述发光控制子电路导通;

所述防漏电子电路与辅助电压端、所述数据写入子电路耦接;所述防漏电子电路被配置为:在数据写入阶段,存储所述发光补偿信号;以及在发光阶段,根据所述发光补偿信号抑制所述数据写入子电路漏电;

其中,所述辅助电压端被配置为提供恒定电压;

所述像素驱动电路还包括复位子电路;

所述复位子电路与第二扫描信号端、初始电压端、所述数据写入子电路、所述防漏电子电路和发光器件耦接;所述复位子电路被配置为:在复位阶段,响应于来自所述第二扫描信号端的复位扫描信号,将来自所述初始电压端的初始电压信号分别传输至所述数据写入子电路、所述防漏电子电路和所述发光器件,以对所述数据写入子电路、所述防漏电子电路和所述发光器件进行复位;

所述防漏电子电路还被配置为:在发光阶段,根据所述发光补偿信号抑制所述复位子电路漏电;

所述防漏电子电路包括:第一存储电容;

所述第一存储电容的第一极与所述辅助电压端耦接,所述第一存储电容的第二极与所述数据写入子电路、以及所述复位子电路耦接;所述第一存储电容被配置为:在数据写入阶段充电,存储所述发光补偿信号;以及,在发光阶段放电,将所述发光补偿信号持续提供至所述数据写入子电路以及所述复位子电路。

2.根据权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,所述发光控制子电路包括驱动晶体管;

所述数据写入子电路包括:第一晶体管、第二存储电容和第二晶体管组;所述第二晶体管组包括串联的至少两个第二晶体管;其中,

所述第一晶体管的控制极与所述第一扫描信号端耦接,所述第一晶体管的第一极与所述数据信号端耦接,所述第一晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极耦接;

所述第二存储电容的第一极与第一电源电压端耦接,所述第二存储电容的第二极与所述驱动晶体管的控制极、所述第二晶体管组中的第一个第二晶体管的第一极耦接;

所述第二晶体管组中的所述第二晶体管的控制极均与所述第一扫描信号端耦接,所述第二晶体管组中的最后一个第二晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第二极耦接;

所述第一存储电容的第二极与所述第二晶体管组中任相邻的两个第二晶体管之间的连接线耦接。

3.根据权利要求2所述的像素驱动电路,其特征在于,所述第一存储电容的第二极与所述第一个第二晶体管的第二极耦接。

4.根据权利要求2所述的像素驱动电路,其特征在于,所述第二晶体管组包括串联的三个第二晶体管;

所述防漏电子电路中所述第一存储电容的数量为两个,其中一个所述第一存储电容的第二极与第一个第二晶体管和第二个第二晶体管之间的连接线耦接,另一个所述第一存储电容的第二极与第二个第二晶体管和第三个第二晶体管之间的连接线耦接。

5.根据权利要求2所述的像素驱动电路,其特征在于,所述发光控制子电路与第一电源电压端、发光控制信号端和发光器件耦接;

所述发光控制子电路还包括:第三晶体管和第四晶体管;其中,

所述第三晶体管的控制极与所述发光控制信号端耦接,所述第三晶体管的第一极与所述第一电源电压端耦接,所述第三晶体管的第二极与所述驱动晶体管的第一极耦接;

所述第四晶体管的控制极与所述发光控制信号端耦接,所述第四晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极耦接,所述第四晶体管的第二极与所述发光器件的阳极耦接;

所述发光器件的阴极与第二电源电压端耦接。

6.根据权利要求5所述的像素驱动电路,其特征在于,

所述辅助电压端与所述第一电源电压端为同一个电压端;

或,所述辅助电压端与所述第二电源电压端为同一个电压端;

或,所述辅助电压端与初始电压端为同一个电压端。

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