[发明专利]蚀刻液再生装置及蚀刻液再生方法有效

专利信息
申请号: 202010355366.6 申请日: 2020-04-29
公开(公告)号: CN111394730B 公开(公告)日: 2022-06-07
发明(设计)人: 何毅烽 申请(专利权)人: TCL华星光电技术有限公司
主分类号: C23F1/46 分类号: C23F1/46;C23F1/08
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 张晓薇
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 蚀刻 再生 装置 方法
【说明书】:

本申请提出了一种蚀刻液再生装置及蚀刻液再生方法。该蚀刻液再生装置包括:第一存储容器、第二存储容器、第三存储容器、第四存储容器、及位于第一存储容器和第四存储容器之间的再生容器其中,第一存储容器用于存储蚀刻废液,第二存储容器用于存储解吸液,第三存储容器用于存储解吸废液,第四存储容器用于存储再生的蚀刻液,再生容器用于蚀刻废液的再生。第一存储容器、第二存储容器、第三存储容器、第四存储容器通过管道与再生容器选择性相连通。本申请通过再生容器的设置,吸附蚀刻废液中的铜离子,实现了蚀刻液的再生,提高了蚀刻液的使用效率,减少了蚀刻液再生过程中有机溶剂的使用,减轻了对环境造成的污染。

技术领域

本申请涉及显示领域,尤其涉及一种蚀刻液再生装置及蚀刻液再生方法。

背景技术

随着人们对显示装置的需求量的与日俱增,显示装置的生产量也越来越大,随之而来的是显示装置的制造工艺中所需的蚀刻液的使用量的增加。

现有的蚀刻液处理再生装置,由于主要采取液液萃取的方式,存在萃取耗时长、使用大量有机溶剂易造成环境污染的问题。

因此,亟需一种新的蚀刻液再生装置及蚀刻液再生方法以解决上述技术问题。

发明内容

本申请提供了一种蚀刻液再生装置及蚀刻液再生方法,用于解决现有的蚀刻液再生装置存在萃取蚀刻废液中的铜离子耗时长且使用大量有机溶剂易造成环境污染的问题。

为了解决上述技术问题,本申请提供的技术方案如下:

本申请提出了一种蚀刻液再生装置,包括第一存储容器、第二存储容器、第三存储容器、第四存储容器、及位于所述第一存储容器和所述第四存储容器之间的再生容器;

其中,所述第一存储容器用于存储蚀刻废液;

所述第二存储容器用于存储解吸液;

所述第三存储容器用于存储解吸废液;

所述第四存储容器用于存储再生的蚀刻液;

所述再生容器用于所述蚀刻废液的再生;

所述第一存储容器、第二存储容器、第三存储容器、第四存储容器通过管道与所述再生容器选择性相连通。

本申请提供的蚀刻液再生装置中,所述管道包括位于所述第一存储容器与所述再生容器之间第一管道、位于所述第二存储容器与所述再生容器之间的第二管道、位于所述第三存储容器与所述再生容器之间的第三管道、及位于所述第四存储容器与所述再生容器之间的第四管道。

本申请提供的蚀刻液再生装置中,所述第一管道、所述第二管道、所述第三管道、及所述第四管道相互独立设置;或者

所述第一管道与所述第二管道靠近所述再生容器的一侧一体设置和/或所述第三管道与所述第四管道靠近所述再生容器的一侧一体设置。

本申请提供的蚀刻液再生装置中,所述管道还包括位于所述第一管道上靠近所述第一存储容器一侧的第一阀门、位于所述第二管道上靠近所述第二存储容器一侧的第二阀门、位于所述第三管道上靠近所述第三存储容器一侧的第三阀门、及位于所述第四管道上靠近所述第四存储容器一侧的第四阀门。

本申请提供的蚀刻液再生装置中,所述蚀刻液再生装置与蚀刻装置相连。

本申请提供的蚀刻液再生装置中,所述再生容器包括至少一填充柱;

所述填充柱的固定相的材料为硅基/金属-有机框架化合物的复合材料。

本申请提供的蚀刻液再生装置中,所述解吸液至少包括稀硝酸。

本申请还提供了一种蚀刻液再生方法,包括S1、开启第一阀门以及第四阀门使来自第一存储容器的蚀刻废液经过再生容器再生成蚀刻液进入第四存储容器;

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