[发明专利]蚀刻液再生装置及蚀刻液再生方法有效
| 申请号: | 202010355366.6 | 申请日: | 2020-04-29 |
| 公开(公告)号: | CN111394730B | 公开(公告)日: | 2022-06-07 |
| 发明(设计)人: | 何毅烽 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号: | C23F1/46 | 分类号: | C23F1/46;C23F1/08 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 张晓薇 |
| 地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 蚀刻 再生 装置 方法 | ||
1.一种蚀刻液再生装置,其特征在于,包括第一存储容器、第二存储容器、第三存储容器、第四存储容器、及位于所述第一存储容器和所述第四存储容器之间的再生容器;
其中,所述第一存储容器用于存储蚀刻废液;
所述第二存储容器用于存储解吸液;
所述第三存储容器用于存储解吸废液;
所述第四存储容器用于存储再生的蚀刻液;
所述再生容器用于所述蚀刻废液的再生,所述再生容器包括至少一填充柱;
所述填充柱的固定相的材料为氨基和羧基修饰的二氧化硅/金属有机框架化合物,其中所述氨基和羧基的含量范围为介于1.2mmol/g与2.4mmol/g之间;
所述第一存储容器、所述第二存储容器、所述第三存储容器、所述第四存储容器通过管道与所述再生容器选择性相连通。
2.根据权利要求1所述的蚀刻液再生装置,其特征在于,
所述管道包括位于所述第一存储容器与所述再生容器之间第一管道、位于所述第二存储容器与所述再生容器之间的第二管道、位于所述第三存储容器与所述再生容器之间的第三管道、及位于所述第四存储容器与所述再生容器之间的第四管道。
3.根据权利要求2所述的蚀刻液再生装置,其特征在于,
所述第一管道、所述第二管道、所述第三管道、及所述第四管道相互独立设置;或者
所述第一管道与所述第二管道靠近所述再生容器的一侧一体设置和/或所述第三管道与所述第四管道靠近所述再生容器的一侧一体设置。
4.根据权利要求3所述的蚀刻液再生装置,其特征在于,
所述管道还包括位于所述第一管道上靠近所述第一存储容器一侧的第一阀门、位于所述第二管道上靠近所述第二存储容器一侧的第二阀门、位于所述第三管道上靠近所述第三存储容器一侧的第三阀门、及位于所述第四管道上靠近所述第四存储容器一侧的第四阀门。
5.根据权利要求1所述的蚀刻液再生装置,其特征在于,
所述蚀刻液再生装置与蚀刻装置相连。
6.根据权利要求1所述的蚀刻液再生装置,其特征在于,
所述解吸液至少包括稀硝酸。
7.一种蚀刻液再生方法,其特征在于,包括
S1、开启第一阀门以及第四阀门使来自第一存储容器的蚀刻废液经过再生容器再生成蚀刻液进入第四存储容器;
S2、关闭所述第一阀门以及所述第四阀门;
S3、开启第二阀门以及第三阀门使来自第二存储容器的解吸液经过所述再生容器带出所述再生容器中的铜离子进入第三存储容器;
其中,所述再生容器至少包括一填充柱,所述填充柱的固定相材料的制备方法包括:
经第一反应合成二氧化硅;
合成的所述二氧化硅与铜离子经第二反应形成二氧化硅/氢氧化铜的第一复合物;
所述第一复合物经第三反应形成二氧化硅/金属有机框架化合物的第二复合物;
所述第二复合物经第四反应形成氨基和羧基修饰的二氧化硅/金属有机框架化合物的第三复合物,其中所述氨基和羧基的含量范围为介于1.2mmol/g与2.4mmol/g之间。
8.根据权利要求7所述的蚀刻液再生方法,其特征在于,
所述填充柱的固定相通过匀浆法填入所述填充柱中。
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