[发明专利]一种Bi2

说明书

本发明提供了一种Bi₂Te₃纳米片，所述Bi₂Te₃纳米片的横向尺寸为470～940nm。本发明Bi₂Te₃纳米片具有良好的环境稳定性，Bi₂Te₃纳米片是一种新型的拓扑绝缘体材料，其表面状态为金属态，其表面状态受时间反演对称性保护，因此，所述Bi₂Te₃纳米片的环境稳定性良好。本发明还提供了一种纳米片的制备方法，该制备方法简单易操作，制得的Bi₂Te₃纳米片的环境稳定性良好。

技术领域

本发明涉及光电领域，具体涉及一种Bi₂Te₃纳米片及其制备方法。

背景技术

光电探测器是一种能够将光信号转换为电信号的装置，其在诸多领域都有着广泛的应用。当厚度减薄到原子级，二维原子晶体呈现出光与物质较强的相互作用、优异的机械柔韧性和易于多功能集成等优点，使其成为未来光电探测器件领域最有潜力的一类材料。

2014年，一种原子级厚度的新型二维原子晶体-黑磷(black phosphorus)-被我国科学家首次实验上获得并迅速吸引了研究人员的广泛关注。二维黑磷还具有较高的载流子迁移率、大的电流开光比以及独特的光学、电学、热学和力学面内各向异性等特点。然而，众所周知，二维黑磷的环境稳定性严重制约着黑磷纳米器件的实际使用价值。

因此，高光电探测性能及高环境稳定性的二维材料的研究开发尤其重要。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供了一种Bi₂Te₃纳米片，以解决上述现有黑磷纳米片环境稳定性差的问题，本发明还提供了一种Bi₂Te₃纳米片，以解决制备方法复杂、工艺条件要求高的缺陷，本发明还提供了一种使用上述Bi₂Te₃纳米片的光电探测器及其制备方法，用于克服光电探测器环境稳定性差、检测性能低的问题。

本发明第一方面提供了一种Bi₂Te₃纳米片，所述Bi₂Te₃纳米片的横向尺寸为470～940nm。

优选的，所述Bi₂Te₃纳米片的横向尺寸为620-730nm。

优选的，所述Bi₂Te₃纳米片的厚度小于或等于20nm。

更优选的，所述Bi₂Te₃纳米片的厚度11.1～17.2nm。

优选的，所述Bi₂Te₃纳米片的晶格间距为0.22nm，所述Bi₂Te₃纳米片的形状为六边形。

本发明第二方面提供了一种Bi₂Te₃纳米片的制备方法，包括以下步骤：

将Bi(NO₃)₃·5H₂O和Na₂TeO₃溶解于溶剂中，继续向溶剂中添加PVP，搅拌10～100min，形成均匀混合液，所述Bi(NO₃)₃·5H₂O、Na₂TeO₃及PVP的物质的量之比为1000:1000～5000:0.5～5；