[发明专利]一种Bi2在审

专利信息
申请号: 202010339901.9 申请日: 2020-04-26
公开(公告)号: CN111634889A 公开(公告)日: 2020-09-08
发明(设计)人: 黄卫春;张也;游琪 申请(专利权)人: 深圳瀚光科技有限公司
主分类号: C01B19/04 分类号: C01B19/04;H01L31/032;B82Y40/00;B82Y30/00
代理公司: 广州专才专利代理事务所(普通合伙) 44679 代理人: 林玲
地址: 518027 广东省深圳市龙华区观澜*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 bi base sub
【权利要求书】:

1.一种Bi2Te3纳米片,其特征在于,所述Bi2Te3纳米片的横向尺寸为470~940nm。

2.如权利要1所述的Bi2Te3纳米片,其特征在于,所述Bi2Te3纳米片的横向尺寸为620-730nm。

3.如权利要1所述的Bi2Te3纳米片,其特征在于,所述Bi2Te3纳米片的厚度小于或等于20nm。

4.如权利要3所述的Bi2Te3纳米片,其特征在于,所述Bi2Te3纳米片的厚度11.1~17.2nm。

5.如权利要1所述的Bi2Te3纳米片,其特征在于,所述Bi2Te3纳米片的晶格间距为0.22nm,所述Bi2Te3纳米片的形状为六边形。

6.一种Bi2Te3纳米片的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

将Bi(NO3)3·5H2O和Na2TeO3溶解于溶剂中,继续向溶剂中添加PVP,搅拌10~100min,形成均匀混合液,所述Bi(NO3)3·5H2O、Na2TeO3及PVP的物质的量之比为1000:1000~5000:0.5~5;

将混合液转移至高压釜中,调节高压釜的温度为170~190℃并反应2~12h,淬火至室温,将反应物离心、干燥,制得Bi2Te3纳米片。

7.如权利要6所述的Bi2Te3纳米片的制备方法,其特征在于,所述Bi(NO3)3·5H2O、Na2TeO3及PVP的物质的量之比为1000:2000:1.5,搅拌时间为30min。

8.如权利要6所述的Bi2Te3纳米片的制备方法,其特征在于,所述高压釜为聚四氟乙烯内衬的高压釜,调节高压釜的温度为180℃。

9.如权利要6所述的Bi2Te3纳米片的制备方法,其特征在于,所述离心包括:首先采用3000~5000rpm的离心速率进行离心,离心时间为20-40min,并通过乙醇或者丙酮洗涤去离子废品。

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