[发明专利]用于有机薄膜晶体管的可光图案化的有机半导体（OSC）聚合物

说明书

提供了用于有机薄膜晶体管的可光图案化的有机半导体(OSC)聚合物。一种聚合物掺混物，其包括至少一种有机半导体(OSC)聚合物和至少一种光敏剂，使得所述至少一种OSC聚合物是二酮基吡咯并吡咯‑稠合噻吩聚合材料，其中，所述稠合噻吩是β取代的。

背景

技术领域

本公开涉及用作有机薄膜晶体管(OTFT)的半导体层的可光图案化的有机半导体(OSC)聚合物。

背景技术

有机薄膜晶体管(OTFT)作为常规硅基技术的替代选择已引起广泛关注，常规硅基技术需要高温和高真空沉积过程，以及复杂的光刻图案化方法。半导体 (即，有机半导体，OSC)层是OTFT中的一种重要部件，其可有效影响装置的性能。

传统的无机TFT装置阵列制造技术常依赖于光刻法作为图案化工艺。然而，光刻法在图案转移或光致抗蚀剂移除期间常涉及苛刻的氧(O₂)等离子体，以及涉及侵蚀性显影溶剂，它们可以严重地损坏OSC层并导致装置性能显著下降。

本公开涉及改进的可光图案化的有机半导体聚合物，以及其用于有机薄膜晶体管的OSC层的用途。

发明内容

在一些实施方式中，一种聚合物掺混物包含：至少一种有机半导体(OSC) 聚合物和至少一种光敏剂，其中，所述至少一种OSC聚合物是二酮基吡咯并吡咯- 稠合噻吩聚合材料，其中，所述稠合噻吩是β取代的。

在可与任何其他方面或实施方式组合的一个方面中，所述至少一种OSC聚合物包含第一部分和第二部分，其中，第一部分或第二部分中的至少一者包含至少一个可UV固化的侧链。

在可与任何其他方面或实施方式组合的一个方面中，所述至少一个可UV固化的侧链包含以下中的至少一种：丙烯酸酯、环氧化物、氧杂环丁烷、烯、炔、叠氮化物、硫醇、烯丙氧基硅烷、酚、酐、胺、氰酸酯、异氰酸酯、甲硅烷基氢化物、查耳酮、肉桂酸酯、香豆素、氟硫酸酯、甲硅烷基醚或其组合。

在可与任何其他方面或实施方式组合的一个方面中，所述至少一个可UV固化的侧链包括查耳酮、肉桂酸酯、香豆素或其组合中的至少一种。

在可与任何其他方面或实施方式组合的一个方面中，聚合物掺混物还包含：至少一种交联剂，其中，所述至少一种交联剂包含以下中的至少一种：丙烯酸酯、环氧化物、氧杂环丁烷、烯、炔、叠氮化物、硫醇、烯丙氧基硅烷、酚、酐、胺、氰酸酯、异氰酸酯、甲硅烷基氢化物、查耳酮、肉桂酸酯、香豆素、氟硫酸酯、甲硅烷基醚或其组合。

在可与任何其他方面或实施方式组合的一个方面中，聚合物掺混物还包含：至少一种交联剂，其中，所述至少一种交联剂包括查耳酮、肉桂酸酯、香豆素或其组合中的至少一种。

在可与任何其他方面或实施方式组合的一个方面中，聚合物掺混物还包含：至少一种交联剂，其选自：

或其组合。

在可与任何其他方面或实施方式组合的一个方面中，所述至少一种光敏剂选自：

或其组合。

在可与任何其他方面或实施方式组合的一个方面中，聚合物掺混物还包含：抗氧化剂、润滑剂、增容剂、流平剂或成核剂中的至少一种，其存在的量在0.05 重量％至5重量％的范围内。

在可与任意其他方面或实施方式组合的一个方面中，所述至少一种OSC聚合物包含式1或式2的重复单元，或者其盐、异构体或类似物：