[发明专利]像素电路

权利要求书

1.一种像素电路，包括：

一数据晶体管，具有接收一数据电压的一第一端、耦接一第一节点的一第二端及接收一栅极信号的一控制端；

一第一P型晶体管，具有接收一第一脉冲信号的一第一端、耦接一第二节点的一第二端及耦接该第一节点的一控制端；

一第一N型晶体管，具有耦接该第二节点的一第一端、接收一第二脉冲信号的一第二端及耦接该第一节点的一控制端；

一液晶电容，耦接于该第二节点与一共同电压信号之间；

一第二P型晶体管，具有接收该第一脉冲信号的一第一端、耦接该第一节点的一第二端及耦接该第二节点的一控制端；以及

一第二N型晶体管，具有耦接该第一节点的一第一端、接收该第二脉冲信号的一第二端及耦接该第二节点的一控制端，

其中形成该液晶电容的液晶层操作于一常黑显示模式或一常白显示模式，

其中该像素电路由该第一节点、该第二节点、该数据晶体管、该第一P型晶体管、该第一N型晶体管、该液晶电容、该第二P型晶体管及该第二N型晶体管所构成，

其中该共同电压信号相同于该第一脉冲信号及该第二脉冲信号的其中之一。

2.如权利要求1所述的像素电路，其中该第一脉冲信号及该第二脉冲信号互为反相。

3.如权利要求1所述的像素电路，其中该第一P型晶体管的导通临界电压不同于该第二P型晶体管的导通临界电压，该第一N型晶体管的导通临界电压不同于该第二N型晶体管的导通临界电压。

4.如权利要求3所述的像素电路，其中该第一P型晶体管的导通临界电压小于该第二P型晶体管的导通临界电压，该第一N型晶体管的导通临界电压小于该第二N型晶体管的导通临界电压。

5.如权利要求1所述的像素电路，其中该第一P型晶体管的尺寸不同于该第二P型晶体管的尺寸，该第一N型晶体管的尺寸不同于该第二N型晶体管的尺寸。

6.如权利要求5所述的像素电路，其中该第一P型晶体管的尺寸大于该第二P型晶体管的尺寸，该第一N型晶体管的尺寸大于该第二N型晶体管的尺寸。

7.如权利要求1所述的像素电路，其中该数据晶体管、该第一P型晶体管、该第一N型晶体管、该第二P型晶体管及该第二N型晶体管分别为一低温多晶硅晶体管。