[发明专利]一种阶梯状/缓坡状晶圆键合玻璃载板架构

说明书

本发明公开一种阶梯状/缓坡状晶圆键合玻璃载板架构，所述晶圆键合玻璃载板架构包括晶圆本体，晶圆本体上设有研磨正面，晶圆本体四周设有阶梯保护环/斜坡保护环，晶圆本体下方设有玻璃载板，晶圆本体与玻璃载板之间设有胶合层，玻璃载板上还包括若干通孔，玻璃载板下端还设有研磨反面。本发明结构简单，制作方便，防止晶圆过薄影响后需要的晶圆加工，并且键合的玻璃载板使晶粒直接暴露，便于晶圆的背面进行加工，降低了晶圆加工的难度，用于后续的离子植、黄光及双面同时金属沉积工艺，在生产能一次同时进行正面及背面的工艺,作业中减少传送步骤，节省工艺时间，改进后良率提高。

技术领域

本发明涉及一种半导体生产领域，具体是一种阶梯状/缓坡状晶圆键合玻璃载板架构。

背景技术

晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆，在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品，晶圆的原始材料是硅，二氧化硅矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，晶圓薄化後，尚需进行许多后制程，如何移动薄化至50～100微米的晶片，目前的一種方式是用机械研磨晶片，生成晶圆底部厚度50～200微米，留下边缘3～8mm的边框环的晶圆，然后以干/湿刻蚀方式处理背面以改善因为以机械研磨造成的应力及不良的粗造度，晶圆研磨后，又不便于后续的加工，针对这种情况，现提出一种阶梯状/缓坡状晶圆键合玻璃载板架构。

发明内容

本发明的目的在于提供一种阶梯状/缓坡状晶圆键合玻璃载板架构，结构简单，制作方便，防止晶圆过薄影响后需要的晶圆加工，并且键合的玻璃载板使晶粒直接暴露，便于晶圆的背面进行加工，降低了晶圆加工的难度，用于后续的离子植、黄光及双面同时金属沉积工艺，在生产能一次同时进行正面及背面的工艺,作业中减少传送步骤，节省工艺时间，改进后良率提高。

本发明的目的可以通过以下技术方案实现：

一种阶梯状/缓坡状晶圆键合玻璃载板架构，所述晶圆键合玻璃载板架构包括晶圆本体，晶圆本体上设有研磨正面，晶圆本体四周设有阶梯保护环/斜坡保护环，晶圆本体下方设有玻璃载板，晶圆本体与玻璃载板之间设有胶合层；

所述玻璃载板上还包括若干通孔。

所述玻璃载板下端还设有研磨反面。

进一步地，所述晶圆键合玻璃载板架构包括晶圆本体，晶圆本体上设有研磨正面，晶圆本体四周设有阶梯保护环，晶圆本体下方设有玻璃载板，晶圆本体与玻璃载板之间设有胶合层。

进一步地，所述晶圆键合玻璃载板架构包括晶圆本体，晶圆本体上设有研磨正面，晶圆本体四周设有斜坡保护环，晶圆本体下方设有玻璃载板，晶圆本体与玻璃载板之间设有胶合层。

进一步地，所述晶圆本体上设有研磨正面，晶圆本体四周设有阶梯保护环，晶圆本体下方设有玻璃载板，晶圆本体与玻璃载板之间设有胶合层，玻璃载板下端还设有研磨反面。

进一步地，所述晶圆本体上设有研磨正面，晶圆本体四周设有斜坡保护环，晶圆本体下方设有玻璃载板，晶圆本体与玻璃载板之间设有胶合层，玻璃载板下端还设有研磨反面。

进一步地，所述晶圆本体上设有研磨正面，晶圆本体四周设有斜坡保护环，晶圆本体下方设有玻璃载板，晶圆本体与玻璃载板之间设有胶合层，玻璃载板上还包括若干通孔。

进一步地所述晶圆本体上设有研磨正面，晶圆本体四周设有阶梯保护环，晶圆本体下方设有玻璃载板，晶圆本体与玻璃载板之间设有胶合层，玻璃载板上还包括若干通孔，玻璃载板下端还设有研磨反面。

进一步地，所述晶圆本体上设有研磨正面，晶圆本体四周设有斜坡保护环，晶圆本体下方设有玻璃载板，晶圆本体与玻璃载板之间设有胶合层，玻璃载板上还包括若干通孔，玻璃载板下端还设有研磨反面。