[发明专利]一种可降解、高导电MXene复合薄膜的静电纺丝制备方法在审
申请号: | 202010293189.3 | 申请日: | 2020-04-15 |
公开(公告)号: | CN111304777A | 公开(公告)日: | 2020-06-19 |
发明(设计)人: | 周宏伟;杜浩田;金洗郎;陈卫星 | 申请(专利权)人: | 西安工业大学 |
主分类号: | D01F6/92 | 分类号: | D01F6/92;D01F1/10;D01D5/00;D04H1/728;D04H3/02 |
代理公司: | 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 | 代理人: | 黄秦芳 |
地址: | 710032 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 降解 导电 mxene 复合 薄膜 静电 纺丝 制备 方法 | ||
1.一种可降解、高导电MXene复合薄膜的静电纺丝制备方法,其特征在于:
所述方法包括以下步骤:
(1)MXene的化学刻蚀法制备;
(2)可降解高分子/MXene纺丝液的制备;
(3)MXene复合薄膜的静电纺丝制备。
2.根据权利要求1所述的一种可降解、高导电MXene复合薄膜的静电纺丝制备方法,其特征在于:
(1)MXene的化学刻蚀法制备:将1~3g MAX相加入1-3g氟化锂和10~30mL盐酸9mol/L,常温搅拌24~30h,之后超声3-5h,离心洗涤,3500转/分钟,直至体系pH到6,过滤、干燥得到少层MXene粉末;
(2)可降解高分子/MXene纺丝液的制备:通过溶剂置换法将MXene分散于极性有机溶剂中,浓度范围0.1~2mg/mL,然后加入可降解高分子(5wt%~25wt%)溶解,超声3h,得到静电纺丝液。
(3)MXene复合薄膜的静电纺丝制备:控制温度为23~27℃,相对湿度为45%~55%,调整纺丝液中高分子和MXene的浓度,进行静电纺丝可降解高分子/MXene导电复合薄膜。
3.根据权利要求1或2所述的一种可降解、高导电MXene复合薄膜的静电纺丝制备方法,其特征在于:步骤(1)所述的MXene材料组成为Ti3C2、Ti2C、Hf3C2、Ta2C、Zr3C5或V2C。
4.根据权利要求1或2所述的一种可降解、高导电MXene复合薄膜的静电纺丝制备方法,其特征在于:所述可降解高分子为聚乳酸、聚丁二酸丁二醇酯或聚己內酯等主链含有可降解酯键、酰胺键的高分子中的一种或多种。
5.根据权利要求1或2所述的一种可降解、高导电Mxene复合薄膜的静电纺丝制备方法,其特征在于:根据所采用的可降解高分子不同,步骤(2)中所用强极性有机溶剂为甲酰胺、三氟乙酸、二甲亚砜、乙腈、二甲基甲酰胺、六甲基磷酰胺或N-甲基吡咯烷酮中的一种或多种。
6.根据权利要求1或2所述的一种可降解、高导电MXene复合薄膜的静电纺丝制备方法,其特征在于:步骤(3)中,静电纺丝过程中静电纺丝液给料速度为3mL/h~8mL/h,金属针头内径为0.8mm,电压为18~25kV,接受距离为15cm。
7.一种可降解、高导电MXene复合薄膜在柔性电子器件中的应用。
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