[发明专利]一种可降解、高导电MXene复合薄膜的静电纺丝制备方法在审

专利信息
申请号: 202010293189.3 申请日: 2020-04-15
公开(公告)号: CN111304777A 公开(公告)日: 2020-06-19
发明(设计)人: 周宏伟;杜浩田;金洗郎;陈卫星 申请(专利权)人: 西安工业大学
主分类号: D01F6/92 分类号: D01F6/92;D01F1/10;D01D5/00;D04H1/728;D04H3/02
代理公司: 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 代理人: 黄秦芳
地址: 710032 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 降解 导电 mxene 复合 薄膜 静电 纺丝 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种可降解、高导电MXene复合薄膜的静电纺丝制备方法,其特征在于:

所述方法包括以下步骤:

(1)MXene的化学刻蚀法制备;

(2)可降解高分子/MXene纺丝液的制备;

(3)MXene复合薄膜的静电纺丝制备。

2.根据权利要求1所述的一种可降解、高导电MXene复合薄膜的静电纺丝制备方法,其特征在于:

(1)MXene的化学刻蚀法制备:将1~3g MAX相加入1-3g氟化锂和10~30mL盐酸9mol/L,常温搅拌24~30h,之后超声3-5h,离心洗涤,3500转/分钟,直至体系pH到6,过滤、干燥得到少层MXene粉末;

(2)可降解高分子/MXene纺丝液的制备:通过溶剂置换法将MXene分散于极性有机溶剂中,浓度范围0.1~2mg/mL,然后加入可降解高分子(5wt%~25wt%)溶解,超声3h,得到静电纺丝液。

(3)MXene复合薄膜的静电纺丝制备:控制温度为23~27℃,相对湿度为45%~55%,调整纺丝液中高分子和MXene的浓度,进行静电纺丝可降解高分子/MXene导电复合薄膜。

3.根据权利要求1或2所述的一种可降解、高导电MXene复合薄膜的静电纺丝制备方法,其特征在于:步骤(1)所述的MXene材料组成为Ti3C2、Ti2C、Hf3C2、Ta2C、Zr3C5或V2C。

4.根据权利要求1或2所述的一种可降解、高导电MXene复合薄膜的静电纺丝制备方法,其特征在于:所述可降解高分子为聚乳酸、聚丁二酸丁二醇酯或聚己內酯等主链含有可降解酯键、酰胺键的高分子中的一种或多种。

5.根据权利要求1或2所述的一种可降解、高导电Mxene复合薄膜的静电纺丝制备方法,其特征在于:根据所采用的可降解高分子不同,步骤(2)中所用强极性有机溶剂为甲酰胺、三氟乙酸、二甲亚砜、乙腈、二甲基甲酰胺、六甲基磷酰胺或N-甲基吡咯烷酮中的一种或多种。

6.根据权利要求1或2所述的一种可降解、高导电MXene复合薄膜的静电纺丝制备方法,其特征在于:步骤(3)中,静电纺丝过程中静电纺丝液给料速度为3mL/h~8mL/h,金属针头内径为0.8mm,电压为18~25kV,接受距离为15cm。

7.一种可降解、高导电MXene复合薄膜在柔性电子器件中的应用。

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