[发明专利]一种数据保存方法、装置、存储介质和数据存储设备有效

专利信息
申请号: 202010285351.7 申请日: 2020-04-13
公开(公告)号: CN111552650B 公开(公告)日: 2021-03-02
发明(设计)人: 倪黄忠;王忠胜 申请(专利权)人: 深圳市时创意电子有限公司
主分类号: G06F12/02 分类号: G06F12/02;G11C16/14;G11C16/34
代理公司: 深圳盛德大业知识产权代理事务所(普通合伙) 44333 代理人: 贾振勇
地址: 518000 广东省深圳市宝安区新桥街道新发东路*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 数据 保存 方法 装置 存储 介质 设备
【说明书】:

发明适用于数据存储技术领域,提供了一种数据保存方法、装置、存储介质和数据存储设备,所述数据保存方法在预设的执行操作时间内,监测数据区块执行操作的情况,确定哪些数据区块执行过操作,针对执行过操作的区块,将其在预设的冷数据区块标识信息与操作状态映射表中的操作状态修改为已执行操作,这样,在检测时间达到预设的执行操作时间时,可以确定未执行操作的数据区块,并将未执行操作的数据区块中的数据写入新数据区块,从而减少经多次擦写的数据区块写入数据后被长时间搁置,导致再读取时出现数据保存错误的问题;同时,在对操作状态为未执行操作的数据区块进行一次充放电,释放FG中的电荷,防止因经时击穿导致数据保存错误的问题。

技术领域

本发明属于数据存储技术领域,尤其涉及一种数据保存方法、装置、存储介质和数据存储设备。

背景技术

闪存(Flash Memory)是一种长寿命的非易失性的存储器,由于其断电时仍能保存数据,闪存通常被用来保存设置信息,如在电脑的BIOS(基本程序)、PDA(个人数字助理)、数码相机中保存资料等。

但是,随着时间的流逝,闪存介质中保存的数据也会发生数据保存错误(DataRetention),造成数据保存错误原因有两种:之一是浮动闸门(FG,Floating Gate)的经时击穿(TDDB,Time Dependent Dielectric Breakdown)导致了低场漏电流变的越来越大,漏电流的变大又导致单元(cell)保存阈值电压转移能力的变弱,从而产生Data Retention的出错;另一种原因就是擦除(Erase)和写入(Program)的操作也会导致氧化层收集电荷,这样会影响到cell的阈值电压,当电荷脱井时,阈值漂移,位元(Bit)发生反转。

综上,现有技术下,存在因漏电流的变大导致保存阀电压转移的能力变弱,多次的擦除(Erase)和写入(Program)的操作等原因,导致数据保存错误现象会越发频繁且触发时间变短,在经过长时间的搁置下后再读取数据会有较大机率发生数据保存错误的问题。

发明内容

本发明实施例的目的在于提供一种数据保存方法,旨在解决现有技术下,存在因漏电流的变大导致保存阀电压转移的能力变弱,多次的擦除(Erase)和写入(Program)的操作等原因,导致数据保存错误现象会越发频繁且触发时间变短,在经过长时间的搁置下后再读取数据会有较大机率发生数据保存错误的问题。

本发明实施例是这样实现的,一种数据保存方法,包括:在预设的执行操作时间内,监测数据区块执行操作的情况;根据所述数据区块执行操作的情况,将预设的冷数据区块标识信息与操作状态映射表中执行了操作的数据区块的操作状态修改为已执行操作,生成更新的冷数据区块的标识信息与操作状态映射表;冷数据区块为未执行过操作的数据区块;当判断监测时间达到预设的执行操作时间时,将操作状态为未执行操作的数据区块的标识信息对应的数据区块中的数据写入新数据区块;将操作状态为未执行操作的数据区块的标识信息对应的数据区块中的数据擦除后放入新数据区块池。

本发明实施例的另一目的在于提供一种数据保存装置,所述装置包括:检测单元,用于在预设的执行操作时间内,监测数据区块执行操作的情况;更新的映射表生成单元,用于根据所述数据区块执行操作的情况,将预设的冷数据区块标识信息与操作状态映射表中执行了操作的数据区块的操作状态修改为已执行操作,生成更新的冷数据区块的标识信息与操作状态映射表;冷数据区块为未执行过操作的数据区块;新数据区块写入单元,用于当判断监测时间达到预设的执行操作时间时,将操作状态为未执行操作的数据区块的标识信息对应的数据区块中的数据写入新数据区块;以及新数据区块池写入单元,用于将操作状态为未执行操作的数据区块的标识信息对应的数据区块中的数据擦除后放入新数据区块池。

本发明实施例的另一目的在于提供一种搭载闪存的存储设备,包括存储器和处理器,所述存储器中存储有计算机程序,所述计算机程序被所述处理器执行时,使得所述处理器执行上述的数据保存方法的步骤。

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