[发明专利]一种消除浮渣对无位错锗单晶成晶影响的方法在审
| 申请号： | 202010274836.6 | 申请日： | 2020-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN111304736A | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 柯尊斌;陆海凤;秦瑶;王卿伟;余金忠 | 申请（专利权）人： | 中锗科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/08 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 施婷婷;张苏沛 |
| 地址： | 211200 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 消除 浮渣 无位错锗单晶成晶 影响 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种消除浮渣对无位错锗单晶成晶影响的方法，其特征在于，包括：
在CN201520815U已公开的双悬浮坩埚内投入高纯锗锭，抽真空；按加热化料工艺来设定加热功率和双悬浮坩埚整体位置并熔化锗料；
加热化料阶段完成后，将加热功率迅速降低，同时双悬浮坩埚整体的位置相对于加热化料时坩埚整体位置升高，此条件下维持6-12min；
增加双悬浮坩埚整体的转速并维持3-10min；
切换至引晶阶段所要求加热功率、双悬浮坩埚整体位置以及转速参数进行引晶。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述加热化料阶段完成后，将加热功率迅速降低至加热化料总功率的5-10％，同时双悬浮坩埚整体的位置相对于加热化料时双悬浮坩埚整体位置升高15-25mm，此条件下维持6-12min。
3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述将加热功率迅速降低至加热化料总功率的8％，同时双悬浮坩埚整体的位置升高并维持8-10min。
4.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述增加双悬浮坩埚整体的转速至2-8转/min并维持3-10min。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述增加双悬浮坩埚整体的转速至3-5转/min，维持5-8min。
6.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述双悬浮坩埚的内浮埚内壁上且位于液面以上的部分在表面加工时增大表面粗糙度。
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