[发明专利]一种失败比特数统计方法及存储器设备有效

专利信息
申请号: 202010270212.7 申请日: 2020-04-08
公开(公告)号: CN111599400B 公开(公告)日: 2021-09-07
发明(设计)人: 王砚;杜智超;吴振勇;王礼维;田野;陈腾 申请(专利权)人: 长江存储科技有限责任公司
主分类号: G11C29/10 分类号: G11C29/10;G11C29/12;G11C29/14
代理公司: 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 代理人: 高洁;张颖玲
地址: 430074 湖北省武*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 失败 比特 统计 方法 存储器 设备
【权利要求书】:

1.一种失败比特数统计方法,其特征在于,所述方法包括:

将第i编程脉冲施加到存储器单元;

在施加所述第i编程脉冲的过程中,执行以下操作:

从第一锁存器读取第i-1统计数据,所述第i-1统计数据为用于统计第i-1编程操作的失败比特数所需的数据;

根据所述第i-1统计数据,执行所述第i-1编程操作的失败比特数统计操作;

从第二锁存器读取第i编程数据,所述第i编程数据为对所述存储器单元执行第i编程操作所需的数据;

根据所述第i编程数据,执行所述第i编程操作;

所述将第i编程脉冲施加到存储器单元之前,所述方法还包括:

执行第i-1编程操作的验证操作,获得所述第i-1验证结果;其中,所述第i-1验证结果包括第i-1统计数据和第i编程数据,其中第i-1统计数据为用于统计第i-1编程操作的失败比特数所需的数据,所述第i编程数据为用于对存储器单元执行第i编程操作所需的数据;

将所述第i编程数据存储至所述第二锁存器中;

其中,i为大于1的整数。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法应用于存储器中存储器单元的页面编程过程;

所述第一锁存器为所述存储器的页面缓冲器中的低电压阈值锁存器;

所述第二锁存器为所述页面缓冲器中的感测锁存器。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:

在所述将第i编程脉冲施加到存储器单元之前,将所述第i-1统计数据存储至所述第一锁存器中;或者,

在施加所述第i编程脉冲的过程中,在所述从第一锁存器读取第i-1统计数据之前,将所述第i-1统计数据存储至所述第一锁存器中。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:

当所述将第i编程脉冲施加到存储器单元执行完成之后,执行第i编程操作的验证操作,获得所述第i验证结果;其中,所述第i验证结果包括第i统计数据和第i+1编程数据;

将所述第i统计数据存储至所述第一锁存器中;

将所述第i+1编程数据存储至所述第二锁存器中。

5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:

当所述将第i编程脉冲施加到存储器单元执行完成之后,执行第i编程操作的验证操作,获得所述第i验证结果;其中,所述第i验证结果包括第i统计数据和第i+1编程数据;

将所述第i+1编程数据存储至所述第二锁存器中;

对应地,在施加所述第i+1编程脉冲的过程中,在从所述第一锁存器读取第i统计数据之前,还包括:

将所述第i统计数据存储至所述第一锁存器中。

6.根据权利要求4或5所述的方法,其特征在于,所述第i验证结果还包括第i编程结果,所述第i编程结果用于表征对所述存储器单元执行的第i编程操作是否通过;

对应地,所述方法还包括:

当所述第i编程结果为不通过时,将第i编程脉冲增加特定的步进电压得到第i+1编程脉冲;

将所述第i+1编程脉冲施加到所述存储器单元。

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