[发明专利]基板侧面部配线形成方法在审
| 申请号： | 202010255524.0 | 申请日： | 2020-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN112017969A | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 宋根浩 | 申请（专利权）人： | 股份有限会社太特思 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京锺维联合知识产权代理有限公司 11579 | 代理人： | 罗银燕 |
| 地址： | 韩国忠清道牙*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 侧面 线形 成方 | ||
【权利要求书】：
1.一种基板侧面部配线形成方法，其特征在于，包括：
在基板侧面部蒸镀形成侧面部配线用金属层的步骤；
在上述侧面部配线用金属层上形成光致抗蚀剂层的步骤；
在上述光致抗蚀剂层上整列配置掩膜之后，使上述光致抗蚀剂层的一部分曝光的步骤；
对上述光致抗蚀剂层进行显影来形成使上述侧面部配线用金属层的一部分露出的光致抗蚀剂图案的步骤；以及
在对所露出的上述侧面部配线用金属层的一部分进行蚀刻处理来去除之后，剥离所残存的侧面部配线用金属层上的光致抗蚀剂图案来形成侧面部电路图案的步骤。
2.根据权利要求1所述的基板侧面部配线形成方法，其特征在于，上述光致抗蚀剂层由负性光致抗蚀剂形成，在上述掩膜中，在与上述侧面部电路图案对应的部分形成开口部。
3.根据权利要求1所述的基板侧面部配线形成方法，其特征在于，上述光致抗蚀剂层由正性光致抗蚀剂形成，在上述掩膜中，在除与上述侧面部电路图案对应的部分之外的剩余部分形成开口部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于股份有限会社太特思，未经股份有限会社太特思许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010255524.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：碳纤维的制造方法
- 下一篇：轮内马达单元和电动车辆
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
