[发明专利]一种宽带可调谐完美吸收器的制备方法及完美吸收器

权利要求书

1.一种宽带可调谐完美吸收器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、在基片上沉积第一层相变薄膜；

S2、在所述第一层相变薄膜上沉积一层透明介质薄膜；

S3、在所述透明介质薄膜上沉积第二层相变薄膜；

S4、在所述第二层相变薄膜上放置一层阳极氧化铝(AAO)纳米结构模板；

S5、在所述阳极氧化铝(AAO)纳米结构模板上沉积一层金属薄膜；

S6、移除所述阳极氧化铝(AAO)纳米结构模板；

S7、刻蚀所述第二层相变薄膜；

S8、移除所述金属薄膜，得到完美吸收器。

2.如权利要求1所述的宽带可调谐完美吸收器的制备方法，其特征在于，所述第一层相变薄膜和第二层相变薄膜的厚度均为1nm～10μm。

3.如权利要求1所述的宽带可调谐完美吸收器的制备方法，其特征在于，所述第一层相变薄膜和第二层相变薄膜是由Ge、Sb、Te、In和Ag组成的化合物，包括GeTe、Sb₂Te、Sb₇₀Te₃₀、Sb₂Te₃、Ge₁Sb₄Te₇、Ge₂Sb₂Te₅和AgInSbTe。

4.如权利要求1所述的宽带可调谐完美吸收器的制备方法，其特征在于，所述透明介质薄膜包括SiO₂、ZnS、ZnS-SiO₂、ITO和Si₃N₄，所述金属薄膜包括Al、Cr、Au、Cu、Fe、Mg和Ag。

5.如权利要求1所述的宽带可调谐完美吸收器的制备方法，其特征在于，所述第一层相变薄膜、第二层相变薄膜和透明介质薄膜均通过射频溅射且功率为10～150W，溅射气压为0.5～2Pa，样品盘转速为1～10r/min，溅射时间为10s～60min。

6.如权利要求1所述的宽带可调谐完美吸收器的制备方法，其特征在于，所述阳极氧化铝(AAO)纳米结构模板为周期性圆孔结构，半径50nm～800nm，高度500nm～5μm，周期150nm～2μm。

7.如权利要求1所述的宽带可调谐完美吸收器的制备方法，其特征在于，所述移除所述阳极氧化铝(AAO)纳米结构模板，具体包括：

采用酸性、碱性或盐溶液移除所述阳极氧化铝(AAO)纳米结构模板。

8.如权利要求1所述的宽带可调谐完美吸收器的制备方法，其特征在于，所述移除所述金属薄膜，具体包括：

采用酸性、碱性或盐溶液移除金属薄膜。

9.如权利要求1所述的宽带可调谐完美吸收器的制备方法，其特征在于，刻蚀所述第二层相变薄膜，具体包括：

通过反应离子刻蚀系统刻蚀所述第二层相变薄膜；

其中，所述反应离子刻蚀系统的刻蚀功率10～200W，刻蚀气压10～250mTorr，刻蚀气体为CHF₃、SF₆或CF₄，流量为1～50sccm，刻蚀时间为1min～60min。

10.一种宽带可调谐完美吸收器，其特征在于，采用如权利要求1-9任一所述的制备方法得到。