[发明专利]一种高功率半导体激光器的光纤耦合结构及方法在审
| 申请号： | 202010235701.9 | 申请日： | 2020-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN111404019A | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 蔡万绍;刘佳敏;张邦清 | 申请（专利权）人： | 深圳活力激光技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01S5/022 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人： | 戴立亮 |
| 地址： | 518103 广东省深圳市宝安区福海*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体激光器 光纤 耦合 结构 方法 | ||
1.一种高功率半导体激光器的光纤耦合结构，其特征在于：包括光波导组件(9)，所述光波导组件(9)由入光口(3)、入光段(4)、连接口(5)、出光段(6)和出光口(7)依次连接而成，所述入光段(4)的外径从入光口(3)到连接口(5)逐渐减小，所述出光段(6)的外径和对应光纤(8)相配合，所述出光口(7)和对应光纤(8)相连接。
2.根据权利要求1所述的一种高功率半导体激光器的光纤耦合结构，其特征在于：还包括会聚透镜(10)，所述光波导组件(9)位于会聚透镜(10)和对应光纤(8)之间。
3.根据权利要求1或2所述的一种高功率半导体激光器的光纤耦合结构，其特征在于：所述入光口(3)上设有镀膜。
4.根据权利要求1或2所述的一种高功率半导体激光器的光纤耦合结构，其特征在于：所述入光口(3)的入射光BPP略小于对应光纤(8)的BPP。
5.根据权利要求1所述的一种高功率半导体激光器的光纤耦合方法，其特征在于：多个激光器芯片(1)发出的光，经过常规的方法进行光学整形与光束合束以后，投射到一个入光口(3)，之后依次经过入光段(4)、连接口(5)、出光段(6)和出光口(7)，之后从光纤(8)的一端导入，经过光纤(8)传输后，从光纤(8)的另一端输出。
6.根据权利要求2所述的一种高功率半导体激光器的光纤耦合方法，其特征在于：多个激光器芯片(1)发出的光，经过常规的方法进行光学整形与光束合束以后，通过会聚透镜(10)之后投射到一个入光口(3)，之后依次经过入光段(4)、连接口(5)、出光段(6)和出光口(7)，之后从光纤(8)的一端导入，经过光纤(8)传输后，从光纤(8)的另一端输出。
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