[发明专利]检查装置

说明书

本发明实现了一种检查装置，其能够在不会导致检查装置不必要的大型化和检查速度不必要的低速化的情况下有效地实施不同环境中的器件的试验。检查装置(1)包括：第一转位台(11)；第二转位台(12)；臂(13)，其在第一转位台(11)和第二转位台(12)之间移载器件。在第一转位台(11)中实施室温环境中的试验，在第二转位台(12)中实施高温环境中的试验。

技术领域

本发明涉及一种进行半导体器件等器件的检查的检查装置。特别是涉及一种在条件不同的两种以上的环境的每一个中进行器件的检查的检查装置。

背景技术

在半导体器件的检查中，有时需要实施静态特性试验和动态特性试验的每一个。在专利文献1中公开了进行这样的试验的检查装置。另外，在半导体器件的检查中，有时需要针对室温环境和高温环境的每一个实施试验。在专利文献2～3中，公开了进行这样的试验的检查装置。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本公开专利公报“特开2016-206150号”

[专利文献2]日本公开专利公报“特开昭58-39021号”

[专利文献3]日本公开专利公报“特开平4-23446号”

发明内容

发明要解决的问题

当在室温环境和高温环境的每一个中实施半导体器件的静态特性试验和动态特性试验时，例如如图15所示构成半导体器件的搬运路径Q。

通过使用图15中所示的搬运路径Q，能够依次实施：(1)室温环境中的动态特性试验、(2)高温环境中的动态特性试验、(3)高温环境中的静态特性试验、(4)室温环境中的静态特性试验。在图15中所示的搬运路径Q中，如下所述搬运半导体器件。

首先，未检查的半导体器件在位置Q11处被供给至第一移位台(shuttle table)51。

接着，通过第一移位台51，沿着台内搬运路径Q1，将半导体器件(1)从位置Q11搬运至位置Q12，(2)从位置Q12搬运至位置Q11。在位置Q12处实施室温环境中的动态特性试验。

然后，通过第一臂55，沿着台间搬运路径Q5，将半导体器件从第一移位台51移载至第二移位台52。

接着，通过第二移位台52，沿着台内搬运路径Q2，将半导体器件(1)从位置Q21搬运至位置Q22，(2)从位置Q22搬运至位置Q21。在位置Q22处实施高温环境中的动态特性试验。

然后，通过第二臂56，沿着台间搬运路径Q6，将半导体器件从第二移位台52移载至第三移位台53。

接着，通过第三移位台53，沿着台内搬运路径Q3，将半导体器件(1)从位置Q31搬运至位置Q32，(2)从位置Q32搬运至位置Q31。在位置Q32处实施高温环境中的静态特性试验。

然后，通过第三臂57，沿着台间搬运路径Q7将半导体器件从第三移位台53移载至第四移位台54。

接着，通过第四移位台54，沿着台内搬运路径Q4，将半导体器件(1)从位置Q41搬运至位置Q42，(2)从位置Q42搬运至位置Q41。在位置Q42处实施室温环境中的静态特性试验。

最后，在位置Q41处将检查完毕的半导体器件从第四移位台54回收。