[发明专利]一种显示装置

说明书

本发明公开了一种显示装置，包括：衬底基板，底电极和顶电极，底电极和顶电极之间包括至少两个叠层设置的量子点发光单元，叠层设置的量子点发光单元构成串联结构，使量子点发光二极管具有更低的电流密度，提高量子点发光二极管的电流效率。相邻两个所述量子点发光单元中的所述空穴注入层与所述电子传输层直接接触，构成p‑n结电荷生成结构，不需要单独设置电荷生成层，简化器件结构和制程。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示装置。

背景技术

量子点发光材料具有发光光谱可调节、发光色纯度高、光化学稳定性及热稳定性好等特点，目前已经被广泛应用在新型显示领域。而以量子点材料为发光材料的量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，简称QLED)，相比于有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)具有更宽的色域、更高的显色指数、更好的溶液加工性能等特性，因此在显示领域的应用前景十分巨大。然而与OLED相比，QLED器件仍存在效率低、稳定性差等缺点。

发明内容

本发明一些实施例中，在所述底电极和所述顶电极之间设置至少两个量子点发光单元，所述量子点发光单元的结构相同，所述量子点发光单元叠层设置，相邻两个所述量子点发光单元直接接触。叠层设置的量子点发光单元构成串联结构，使量子点发光二极管具有更低的电流密度，提高量子点发光二极管的电流效率。

本发明一些实施例中，相邻两个所述量子点发光单元中的所述空穴注入层与所述电子传输层直接接触，构成p-n结电荷生成结构，不需要单独设置电荷生成层，简化器件结构和制程。

本发明一些实施例中，所述底电极为阳极，所述顶电极为阴极；

所述量子点发光单元包括：

空穴注入层，位于所述底电极之上；

空穴传输层，位于所述空穴注入层背离所述底电极的一侧；

量子点发光层，位于所述空穴传输层背离所述空穴注入层的一侧；

电子传输层，位于所述量子点发光层背离所述量子点发光层的一侧。

量子点发光二极管为正置结构。

本发明一些实施例中，所述底电极为阴极，所述顶电极为阳极；

所述量子点发光单元包括：

电子传输层，位于所述底电极之上；

量子点发光层，位于所述电子传输层背离所述底电极的一侧；

空穴传输层，位于所述量子点发光层背离所述电子传输层的一侧；

空穴注入层，位于所述空穴传输层背离所述量子点发光层的一侧。

量子点发光二极管为倒置结构。

本发明一些实施例中，所述量子点发光单元中的其中一层采用蒸镀或旋涂的方式制作而成，其它各层采用喷墨打印的方式制作而成。采用旋涂或蒸镀的方式制作功能层可以优化成膜性，在此基础上再进行喷墨打印功能层的制作，提高器件电流效率的同时降低了喷墨打印制程的难度，减少了由于喷墨打印功能层成膜性不好而带来的器件无法点亮和性能降低等现象。

本发明一些实施例中，所述电子传输层采用蒸镀或旋涂的方式制作而成。

本发明一些实施例中，所述电子传输层的材料采用氧化锌、锂掺杂氧化锌、镁掺杂氧化锌或富勒烯中的任意一种。

本发明一些实施例中，所述空穴注入层采用蒸镀或旋涂的方式制作而成。