[发明专利]一种基于多波长超窄带共振的金属微纳光学器件在审
申请号: | 202010216122.X | 申请日: | 2020-03-25 |
公开(公告)号: | CN111273385A | 公开(公告)日: | 2020-06-12 |
发明(设计)人: | 郭玲;郭梦冉;银珊;陈寿宏;马峻 | 申请(专利权)人: | 桂林电子科技大学 |
主分类号: | G02B5/00 | 分类号: | G02B5/00 |
代理公司: | 桂林文必达专利代理事务所(特殊普通合伙) 45134 | 代理人: | 张学平 |
地址: | 541004 广西*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 波长 窄带 共振 金属 光学 器件 | ||
1.一种基于多波长超窄带共振的金属微纳光学器件,其特征在于,包括低折射率介质层衬底、介质结构和周期性薄金属条光栅;
所述介质结构与所述低折射率介质层衬底固定连接,并位于所述低折射率介质层衬底的表面,所述周期性薄金属条光栅与所述介质结构固定连接,并位于所述介质结构远离所述低折射率介质层衬底的一侧;
所述介质结构包括高折射率介质层和低折射率介质层,所述高折射率介质层与所述低折射率介质层衬底固定连接,并位于所述低折射率介质层衬底靠近所述周期性薄金属条光栅的一侧,所述低折射率介质层与所述高折射率介质层固定连接,并与所述周期性薄金属条光栅固定连接,并位于所述高折射率介质层和所述周期性薄金属条光栅之间。
2.如权利要求1所述的基于多波长超窄带共振的金属微纳光学器件,其特征在于,
所述周期性薄金属条光栅的材料为贵金属。
3.如权利要求2所述的基于多波长超窄带共振的金属微纳光学器件,其特征在于,
所述周期性薄金属条光栅的占空比为0.5-0.8,厚度为20-100nm,周期为400-600nm,所述高折射率介质层的厚度为50-200nm,所述低折射率介质层的厚度为50-200nm。
4.如权利要求3所述的基于多波长超窄带共振的金属微纳光学器件,其特征在于,
所述低折射率介质层衬底的折射率与所述低折射率介质层的折射率相同。
5.如权利要求4所述的基于多波长超窄带共振的金属微纳光学器件,其特征在于,
所述低折射率介质层折射率大于1,所述高折射率介质层的折射率比所述低折射率介质层折射率高0.2及以上。
6.如权利要求5所述的基于多波长超窄带共振的金属微纳光学器件,其特征在于,
所述介质结构的数量为两个,并位于所述低折射率介质层衬底和所述周期性薄金属条光栅之间,所述高折射率介质层和所述低折射率介质层依次连接。
7.如权利要求5所述的基于多波长超窄带共振的金属微纳光学器件,其特征在于,
所述介质结构的数量为三个,并位于所述低折射率介质层衬底和所述周期性薄金属条光栅之间,所述高折射率介质层和所述低折射率介质层依次连接。
8.如权利要求5所述的基于多波长超窄带共振的金属微纳光学器件,其特征在于,
所述介质结构的数量为四个,并位于所述低折射率介质层衬底和所述周期性薄金属条光栅之间,所述高折射率介质层和所述低折射率介质层依次连接。
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