[发明专利]存储控制器和存储装置在审
申请号: | 202010196654.1 | 申请日: | 2020-03-19 |
公开(公告)号: | CN111916136A | 公开(公告)日: | 2020-11-10 |
发明(设计)人: | 金志焕;金仁永;金钟和;朴赞益 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C16/34 | 分类号: | G11C16/34;G11C16/26 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强;张川绪 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储 控制器 装置 | ||
公开存储控制器和存储装置。所述存储装置包括:非易失性存储器,包括多个存储器块;以及存储控制器,被配置为控制非易失性存储器的读取操作。当所述存储装置从断电状态切换到通电状态时,存储控制器接收指示所述存储装置断电的断电时间点的断电时间信息和指示所述存储装置通电的通电时间点的通电时间信息。存储控制器将与断电时间点对应的断电时间戳和与通电时间点对应的通电时间戳存储在非易失性存储器中。
本专利申请要求于2019年5月8日提交到韩国知识产权局的第10-2019-0053900号韩国专利申请的优先权的权益,所述韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。
技术领域
本发明构思涉及存储装置,更具体地讲,涉及存储控制器和包括存储控制器的存储装置。
背景技术
作为非易失性存储器(诸如,闪存),即使在电源中断时也可保持存储的数据。包括闪存(例如,嵌入式多媒体卡(eMMC)、通用闪存(UFS)、固态驱动器(SSD)和存储卡)的存储装置正被广泛使用。这样的存储装置用于存储或传输大量数据。闪存通过改变存储器单元的阈值电压来存储数据,并通过使用预先设置的读取电平来读取数据。然而,存储器单元的劣化会改变存储器单元的阈值电压,从而导致读取错误。因此,需要提高这样的存储装置的可靠性。
发明内容
本发明构思的至少一个实施例提供一种能够提高存储装置的读取操作的可靠性的存储控制器和包括该存储控制器的存储装置。
根据本发明构思的一个示例性实施例,提供一种存储装置,所述存储装置包括:非易失性存储器,包括多个存储器块;以及存储控制器,被配置为控制非易失性存储器的读取操作。当所述存储装置从断电状态切换到通电状态时,存储控制器接收指示所述存储装置断电的断电时间点的断电时间信息,并且接收指示所述存储装置通电的通电时间点的通电时间信息。存储控制器将与断电时间点对应的断电时间戳和与通电时间点对应的通电时间戳存储在非易失性存储器中。
根据本发明构思的一个示例性实施例,提供一种存储装置,所述存储装置包括:非易失性存储器,包括多个存储器块;以及存储控制器,被配置为通过使用至少一个读取电平来控制非易失性存储器的读取操作。存储控制器从外部源接收指示所述存储装置断电的时间点的断电时间信息,并且从外部源接收指示所述存储装置通电的时间点的通电时间信息,并且通过使用基于断电时间信息和通电时间信息计算的断电时段来控制读取操作。
根据本发明构思的一个示例性实施例,提供一种存储控制器,所述存储控制器包括:存储器,被配置为:存储断电时间戳、通电时间戳和包括指示根据断电时段的读取电平的信息的读取电平查找表;以及处理器,被配置为:控制非易失性存储器的读取操作。处理器通过使用指示断电时间点的输入断电时间信息来存储断电时间戳,并且通过使用指示通电时间点的输入通电时间信息来存储通电时间戳,并且使用基于断电时间戳和通电时间戳计算的断电时段以及读取电平查找表来控制非易失性存储器的读取操作。
附图说明
从以下结合附图的进行的详细描述,将更清楚地理解本发明构思的实施例,其中:
图1是示出根据本发明构思的示例性实施例的存储系统的框图;
图2是示出根据本发明构思的示例性实施例的图1的存储控制器的示例配置的框图;
图3A和图3B是示出根据本发明构思的示例性实施例的图1的非易失性存储器的框图;
图4是图3A和图3B的第一存储器块的等效电路图;
图5是图3A和图3B的第一存储器块的示例的立体图;
图6是示出由于包括在图3A和图3B的非易失性存储器中的存储器单元的劣化而引起的分布变化的示例的示图;
图7A和图7B是示出根据本发明构思的示例性实施例的与图6的阈值电压分布变化对应的读取电平查找表的示图;
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