[发明专利]一种自供能钙钛矿光电探测器及其制备方法在审
| 申请号： | 202010195870.4 | 申请日： | 2020-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN111403605A | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 廖广兰;刘星月;刘智勇;孙博;谭先华;史铁林 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/44;H01L51/48 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 孔娜;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 自供 能钙钛矿 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
1.一种自供能钙钛矿光电探测器，其特征在于：
所述光电探测器包括玻璃基底、CsPbIBr2光敏薄膜、PMMA修饰层及Ag电极层，所述玻璃基底包括基底及设置在所述基底上的ITO导电层，所述CsPbIBr2光敏薄膜设置在所述ITO导电层上；所述PMMA修饰层设置在所述CsPbIBr2光敏薄膜远离所述ITO导电层的表面上，所述Ag电极层设置在所述PMMA修饰层远离所述CsPbIBr2光敏薄膜的表面上。
2.如权利要求1所述的自供能钙钛矿光电探测器，其特征在于：所述Ag电极层的厚度为120nm～140nm。
3.如权利要求1所述的自供能钙钛矿光电探测器，其特征在于：所述CsPbIBr2光敏薄膜是由依次蒸镀的PbBr2前驱体层及CsI前驱体层在退火下反应生成的。
4.如权利要求3所述的自供能钙钛矿光电探测器，其特征在于：所述PbBr2层的厚度为150～200nm，所述CsI层的厚度为140～190nm。
5.一种权利要求1-4任一项所述的自供能钙钛矿光电探测器的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
(1)提供所述玻璃基底；
(2)采用连续蒸镀工艺在所述玻璃基底的ITO层上制备CsPbIBr2光敏薄膜；
(3)采用旋涂方式在所述CsPbIBr2光敏薄膜上沉积PMMA修饰层；
(4)采用蒸镀工艺在PMMA修饰层上沉积Ag电极层，由此完成所述光电探测器的制备。
6.如权利要求5所述的自供能钙钛矿光电探测器的制备方法，其特征在于：步骤(2)包括以下子步骤：首先，在所述ITO导电层上蒸镀150～200nm厚的PbBr2前驱体层；再在所述PbBr2前驱体层上蒸镀140～190nm厚的CsI前驱体层；之后，在N2氛围下，以270℃～300℃进行退火10min～15min，由此得到所述CsPbIBr2光敏薄膜。
7.如权利要求6所述的自供能钙钛矿光电探测器的制备方法，其特征在于：PbBr2前驱体层及CsI前驱体层的蒸发速率均为
8.如权利要求5所述的自供能钙钛矿光电探测器的制备方法，其特征在于：在N2氛围下，以旋涂方式在所述CsPbIBr2光敏薄膜上制备PMMA修饰层。
9.如权利要求5所述的自供能钙钛矿光电探测器的制备方法，其特征在于：步骤(3)中，旋涂速率为2500rpm～3000rpm，旋涂时间为30s～35s，再在90～105℃下加热15min～20min以对PMMA修饰层进行烘干。
10.如权利要求5所述的自供能钙钛矿光电探测器的制备方法，其特征在于：步骤(4)中，蒸发速率为Ag电极层的厚度为120～140nm，整个制备过程是在压强小于1×10-3Pa的真空腔室内进行的。
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