[发明专利]一种用于功率放大器芯片的自适应偏置电路在审
| 申请号： | 202010193953.X | 申请日： | 2020-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN111262534A | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 杜琳 | 申请（专利权）人： | 西安博瑞集信电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/20 | 分类号： | H03F3/20;H03F1/02 |
| 代理公司： | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人： | 曹卫良 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市高新区*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 功率放大器 芯片 自适应 偏置 电路 | ||
1.一种用于功率放大器芯片的自适应偏置电路，包括偏置电路、反馈电路和放大电路，其特征在于，
所述偏置电路提供动态偏置电压，并与第一静态偏置电压Vg1为放大电路中的晶体管M2提供偏置电压；随着输入的射频信号功率增大，提供给晶体管M2的动态偏置电压越大，实现晶体管M2自适应线性补偿；
所述反馈电路用于调节放大器的射频性能；
其中，射频信号通过所述反馈电路传递到所述偏置电路，所述偏置电路将该射频信号转化为直流信号，该直流信号即偏置电路产生的动态偏置电压。
2.如权利要求1所述的一种用于功率放大器芯片的自适应偏置电路，其特征在于，所述偏置电路包括两个电阻R1和R2、晶体管M1、电容C1，所述电阻R1和电容C1并联，且第一端接地，第二端连接晶体管M1的栅极，所述晶体管M1的源极和漏极进行短接并与电阻R2第一端连接。
3.如权利要求1所述的一种用于功率放大器芯片的自适应偏置电路，其特征在于，所述反馈电路包括两个电阻R3和R4、电容C2，所述电阻R3和R4的第一端均与电阻R2的第二端连接，所述电阻R3的第二端与电容C4的第一端、晶体管M2的栅极连接，所述电阻R4的第二端与电容C2的第一端连接。
4.如权利要求1所述的一种用于功率放大器芯片的自适应偏置电路，其特征在于，所述放大电路包括两个晶体管M2和M3，所述晶体管M2的源极接地，栅极与电容C4的第一端连接，漏极与晶体管M3的源极连接，所述晶体管M3的栅极与电容C3的第一端连接，漏极与电容C2第二端、C5的第一端以及扼流电感L1的第一端连接，所述电容C3的第二端接地。
5.如权利要求1所述的一种用于功率放大器芯片的自适应偏置电路，其特征在于，所述第一静态偏置电压Vg1与电阻R2第二端、电阻R3的第一端以及电阻R4的第一端连接。
6.如权利要求1所述的一种用于功率放大器芯片的自适应偏置电路，其特征在于，还包括电源端，所述电源端与扼流电感L1的第二端连接。
7.如权利要求1所述的一种用于功率放大器芯片的自适应偏置电路，其特征在于，还包括第二静态偏置电Vg2，所述第二偏置电压与电容C3的第一端、晶体管M3的栅极连接。
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