[发明专利]CMOS图像传感器像素读出加速电路

权利要求书

1.CMOS图像传感器像素读出加速电路，其特征在于，包括寄存器DFF1，寄存器DFF1的CLK端与寄存器DFF2的CLK端连接后同时还与比较器A连接，寄存器DFF1的Q端与MOS管M1的栅极连接，寄存器DFF1的D端与MOS管M1的发射极连接，MOS管M1的集电极又与MOS管M4的集电极连接，MOS管M4栅极与所述寄存器DFF2的Q端连接，MOS管M4的发射极接地，寄存器DFF2的D端接地，所述MOS管M1为P型MOS管，MOS管M4为N型MOS管；

所述寄存器DFF1的D端与MOS管M1的发射极均与电源VCC连接，且同时与待加速的CMOS图像传感器内部连接，N型MOS管M5的集电极与电源VCC连接，N型MOS管M7的集电极同时与电源VCC连接，所述比较器A连接在CMOS图像传感器的电源VCC或地与输出节点间，实现对输出节点寄生电容快速置位的作用，电容置位值由比较器预置电压值决定；

所述寄存器DFF1为上升沿触发，寄存器DFF2为下降沿触发；

所述寄存器DFF1和寄存器DFF2之间还设置有MOS管M2和MOS管M3，其中，MOS管M2为P型MOS管，MOS管M3为N型MOS管，具体连接形式为：MOS管M2的发射极与所述MOS管M1的集电极连接，MOS管M2的栅极与控制信号SampleR_EN连接，MOS管M2的集电极与MOS管M3的集电极连接，MOS管M3的发射极与所述MOS管M4的集电极连接，MOS管M3的栅极与控制信号SampleS_EN连接，所述MOS管M2的集电极与MOS管M3的集电极还同时连接至输出信号V_OUT；

所述比较器A为三态门结构的比较器，通过比较器输出作为寄存器的时钟信号，比较器A的负端与基准信号V_C连接，比较器A的正端与输入信号V_IN连接，比较器A的Q输出端与所述寄存器DFF1的CLK端和寄存器DFF2的CLK端同时连接。

2.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器像素读出加速电路，其特征在于，所述待加速的CMOS图像传感器内部结构为：包括依次连接在电源VCC与寄生电阻R之间的N型MOS管M5、N型MOS管M6，N型MOS管M5的集电极与电源VCC连接，N型MOS管M5的栅极与N型MOS管M7的发射极连接，N型MOS管M7作为复位信号，N型MOS管M7的集电极同时与电源VCC连接，N型MOS管M7的发射极连接二极管后接地，N型MOS管M5的发射极与N型MOS管M6的集电极连接，N型MOS管M6的发射极与所述寄生电阻R一端连接，寄生电阻R的另一端连接至输出节点，在输出节点与地之间还并联着Vb和寄生电容C。