[发明专利]阵列基板

说明书

本申请提供一种阵列基板，包括阵列排布的多个子像素，子像素包括沿第一方向排列的主像素区、晶体管连接区和辅像素区，在主像素区和辅像素区中子像素的像素电极均包括与第二方向平行的中心主干部、与中心主干部垂直连接的边缘主干部、与中心主干部和边缘主干部连接的分支部，每个中心主干部两侧的分支部相连形成一个夹角，沿第二方向相邻的两个夹角的朝向相反，从首行起每两行子像素形成一个平衡单元，平衡单元中像素包括位于奇数行的偶数位和偶数行的奇数位的第一子像素、以及位于奇数行的奇数位和偶数行的偶数位的第二子像素，第一子像素中朝向第二方向和第三方向的夹角数量相等，第二方向和第三方向相反。本申请实现特殊画面适应和穿透率提升。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板。

背景技术

在现有技术中，常通过将子像素的像素电极由八畴结构减少为四畴结构，以此来减小中心主干部处的暗纹，实现穿透率的提升。如图1所示，为现有技术的子像素中四畴结构的像素电极结构示意图，子像素包括主像素区11、晶体管连接区12和辅像素区13，在主像素区11和辅像素区13内，像素电极均包括中心主干部100、边缘主干部200和分支部300，且每个中心主干部100两侧的分支部300相连接形成一个夹角。在子像素发光时，由于暗纹具有朝单侧收敛的性质，必须保证子像素之间的各夹角朝向形成如图2所示的“米”型排列方式，才能将暗纹有效收敛至相邻子像素的边缘主干部200相互靠近的区域内，以实现理论上的穿透率提升，图2中左侧子像素的像素电极在主像素区11内夹角的顶点向右，边缘主干部200在右侧，右侧子像素的像素电极在主像素区11内夹角的顶点向左，边缘主干部200在左侧，两者在主像素区11内的中心主干部100、边缘主干部200和分支部300共同形成“米”型排列，将暗纹收敛至两子像素的边缘主干部200处。此外，为避免整屏点亮时出现大视角色偏现象，同一列子像素中相邻行的子像素中夹角的朝向要相反。因此，现有阵列基板上各子像素的排列方式如图3所示。

然而一方面，此种设计在A处，可以将暗纹收敛至“米”的中心，提高穿透率，但在B处，相邻行子像素的主像素区和辅像素区距离较近且此处无边缘主干部200，当出现在上的子像素中辅像素区的分支部与在下的子像素中主像素区的分支部倾斜方向一致时，会因两者的分支部错位而出现横向拉扯暗纹，拉扯暗纹不利于穿透率的提升，以4行子像素为例，将夹角顶点朝左记为“＜”，朝右记为“＞”，此时整个基板中出现如图4中所示的收敛暗纹10和拉扯暗纹20。另一方面，显示面板在采用四畴结构的子像素时，会出现大视角色偏严重恶化的问题，尽管图3结构能够通过相邻子像素进行均衡，改善整屏点亮情况下的大视角色偏问题，但在进行图4所示的特殊画面测试时，将奇数行的偶数位和偶数行的奇数位子像素点亮，会出现所有点亮的子像素中夹角的朝向一致，左右视角的偏差较大，将无法实现相邻像素相互均衡的作用，色偏较为严重，因此现有设计难以满足高阶机种为实现特殊画质保障进行的特殊画面测试。

因此，现有阵列基板存在无法同时满足特殊画面测试和高穿透率的技术问题，需要改进。

发明内容

本申请实施例提供一种阵列基板，用以缓解现有阵列基板中无法同时满足特殊画面测试和高穿透率的技术问题。

本申请提供一种阵列基板，包括阵列排布的多个子像素，所述子像素包括沿第一方向排列的主像素区、晶体管连接区和辅像素区，所述子像素中设置有像素电极，在所述主像素区和所述辅像素区中，所述像素电极均包括与第二方向平行的中心主干部、与所述中心主干部垂直连接的边缘主干部、以及分布在所述中心主干部两侧且与所述中心主干部和所述边缘主干部连接的分支部，每个中心主干部两侧的分支部相连接形成一个夹角，所述阵列基板中沿所述第二方向相邻的两个夹角的朝向相反，其中，从首行起每两行子像素形成一个平衡单元，在每个平衡单元中，所述子像素包括位于奇数行的偶数位和偶数行的奇数位的第一子像素、以及位于奇数行的奇数位和偶数行的偶数位的第二子像素，所述第一子像素中朝向所述第二方向和第三方向的夹角数量相等，所述第二方向和所述第三方向相反。

在本申请的阵列基板中，所述第一方向与所述第二方向垂直。