[发明专利]一种正面切割背面减薄的生产方法有效
| 申请号： | 202010166304.0 | 申请日： | 2020-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN111446159B | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 严立巍;李景贤;陈政勋 | 申请（专利权）人： | 绍兴同芯成集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/302;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 王依 |
| 地址： | 312000 浙江省绍兴市越城区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 正面 切割 背面 生产 方法 | ||
1.一种正面切割背面减薄的生产方法，其特征在于，生产方法包括以下步骤：
S1：正面切割
对晶圆(1)进行切割；
S2：一次固定
采用粘合剂(3)将晶圆(1)切割的正面键合在玻璃载板(2)上；
S3：减薄
对切割后的晶圆(1)的背面进行减薄，形成晶粒(4)；
S4：中间工艺
背面黄光，离子注入，在晶粒(4)的背面形成离子注入层(6) ，光阻去除，退火工艺；
S5：粘合剂(3)去除
采用氧气电浆蚀刻相邻晶粒(4)之间的粘合剂(3)；
S6：金属沉积工艺
通过溅镀或蒸镀或化镀或电镀对减薄面进行金属沉积工艺；
S7:二次固定
将晶圆(1)的减薄面固定在UV膜框(5)上，UV膜框(5)上设有UV型胶膜；
S8：脱离玻璃载板(2)
采用镭射或热分解的方式进行解键合，将晶圆(1)与玻璃载板(2)上脱离，此时晶粒(4)粘合在UV膜框(5)上；
S9：溶剂清洗
将粘合剂(3)从晶粒(4)上剥离。
2.根据权利要求1所述的一种正面切割背面减薄的生产方法，其特征在于，所述切割的方法为金刚石切割。
3.根据权利要求1所述的一种正面切割背面减薄的生产方法，其特征在于，所述切割的方法为激光切割。
4.根据权利要求1所述的一种正面切割背面减薄的生产方法，其特征在于，所述切割的方法为等离子切割。
5.根据权利要求1所述的一种正面切割背面减薄的生产方法，其特征在于，所述晶粒(4)切割时从晶粒(4)的正面进行切割，切割至1.05X~1.3X处，X为预计最后晶圆(1)减薄完成后的厚度。
6.根据权利要求1所述的一种正面切割背面减薄的生产方法，其特征在于，所述一次固定的粘合剂(3)通过UV键合将晶圆(1)和玻璃载板(2)粘合在一起，温度要求为50-200℃，使用的时间为30分钟以下。
7.根据权利要求1所述的一种正面切割背面减薄的生产方法，其特征在于，所述一次固定的粘合剂(3)通过加热键合将晶圆(1) 和玻璃载板(2)粘合在一起，温度要求为150-300℃，使用的时间为30分钟以下。
8.根据权利要求1所述的一种正面切割背面减薄的生产方法，其特征在于，所述减薄采用的方法为蚀刻。
9.根据权利要求1所述的一种正面切割背面减薄的生产方法，其特征在于，所述减薄采用的方法为研磨。
10.根据权利要求1所述的一种正面切割背面减薄的生产方法，其特征在于，所述减薄后相邻的晶粒(4)之间分离。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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