[发明专利]一种稀土掺杂双长余辉纳米材料及其制备方法和用途

权利要求书

1.一种稀土掺杂双长余辉纳米材料，其特征在于：分子式为Y₃Al₂Ga₃O₁₂:0.01-0.02Ce，0.05-0.08Er，0.01-0.02Cr，金属离子比为Y：Al：Ga：Ce：Cr：Er＝3:2:3:0.01:0.01:0.06。

2.根据权利要求1所述一种稀土掺杂双长余辉纳米材料，其特征在于：所述稀土掺杂双长余辉纳米材料粒径为50-100nm。

3.根据权利要求1所述一种稀土掺杂双长余辉纳米材料，其特征在于：所述稀土掺杂双长余辉纳米材料能够被400-850nm LED灯激发后发射出荧光，并且在激发光源移除后能够持续发光，具有可见光和近红外二区发射峰值。

4.一种如权利要求1所述的稀土掺杂双长余辉纳米材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

配置金属硝酸盐溶液，包括Y(NO₃)₃、Al(NO₃)₃、Ga(NO₃)₃、Ce(NO₃)₃、Er(NO₃)₃、Cr(NO₃)₃溶液；

配置含有柠檬酸根离子的溶液；

按照金属离子比Y：Al：Ga：Ce：Cr：Er＝3:2:3:0.01:0.01:0.06向柠檬酸根离子溶液中搅拌并滴加金属硝酸盐溶液；控制总的金属离子和柠檬酸根离子摩尔比例为1:1-1:3；

调节混合溶液的pH值为pH5.5-7.5，将混合溶液转移到反应釜中进行煅烧。

5.根据权利要求4所述的稀土掺杂双长余辉纳米材料的制备方法，其特征在于：所述的将混合溶液转移到反应釜中进行煅烧的条件为：800℃-950℃煅烧4小时。

6.根据权利要求5所述的稀土掺杂双长余辉纳米材料的制备方法，其特征在于：所述的将混合溶液转移到反应釜中进行煅烧的具体方法为：将反应釜放到鼓风干燥箱中200℃-220℃反应12h，冷却到室温之后，对反应溶液进行离心，去除上清液后，水洗三次，收集沉淀，过夜烘干，然后煅烧。

7.根据权利要求4所述的稀土掺杂双长余辉纳米材料的制备方法，其特征在于：还包括对煅烧得到的材料的表面进行亲水性基团修饰。

8.根据权利要求7所述的稀土掺杂双长余辉纳米材料的制备方法，其特征在于：所述亲水性基团为PEG聚合物中的一种或者为聚丙烯酸PAA。

9.权利要求1所述的稀土掺杂双长余辉纳米材料用于深层组织无背景荧光成像的用途。