[发明专利]一种双面电池结构在审
申请号: | 202010147656.1 | 申请日: | 2020-03-05 |
公开(公告)号: | CN111341855A | 公开(公告)日: | 2020-06-26 |
发明(设计)人: | 白玉磐;陈园;付少剑;单娜;雷佳 | 申请(专利权)人: | 江西展宇新能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/068 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 刘新雷 |
地址: | 334100 江西*** | 国省代码: | 江西;36 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 双面 电池 结构 | ||
本发明公开了一种双面电池结构,包括电池片主体以及设置在所述电池片主体正面的正面主栅线、正面细栅线和设置在所述电池片主体背面的背面主栅线、背面细栅线,所述正面主栅线、所述正面细栅线相交,所述背面主栅线、所述背面细栅线相交,所述背面细栅线在所述电池片主体的正面投影位于所述正面细栅线之间。通过将所述背面细栅线在所述电池片主体的正面投影位于所述正面细栅线之间,使得正面细栅线与背面细栅线对于电池片主体来说形成了交错设计,使得从电池片主体透射过的长波光线经过背面细栅线、正面细栅线时会被反射回电池片主体,再次被吸收利用,提高了电池片主体对阳光的利用效率,在光线照射强度以及角度不变的情况下,提高了发电功率。
技术领域
本发明涉及双面组件结构技术领域,特别是涉及一种双面电池结构。
背景技术
随着传统化石能源的快速消耗,每年新增加的探明储量以及不及消耗量,同时其中还伴随着开采成本的不断增加以及使用化石能源造成的温室气体的排放。面对能源危机,各种新能源,如光能、核能、风能、潮汐能等的利用在不断增加,其所在比重在各国的能源消耗的比例正在快速增加。
由于光伏发电对环境以及发电场所的要求非常低,同时其技术发展非常迅速,使得其获得了更加广泛的应用。目前,市场上硅太阳能电池是使用最多的电池,其高效的发电效率、成熟的生产工艺使得其发电成本与传统能源发电的差距越来越小。
PERC电池,即钝化发射极背面接触太阳能电池,收到了广泛的关注,。目前,PERC电池主要有两种结果,一种是单面PERC电池,其背表面是全铝浆覆盖,第二种为双面PERC电池,背面表面是铝栅线。单面PERC电池背面是全铝覆盖,不透光,而双面PERC电池背面是铝栅线,能透过一部分波段的光线,这样,双面电池较单面电池正面效率存在一定的差异,主要是长波段光的损失。
双面太阳能电池结构包括正、背面的绒面形貌结构、PN结构发射极、钝化减反射介质层、正背面电极等。其中,正背面栅线相对位置会影响到光线在背面的反射情况。现有的双面PERC正面细栅线与背面细栅线基本保持面对面对应设置,光线从正面入射,透射到硅基体,然后到背面,最后逃离电池片主体,造成光线损失。因此,如何将这部分损失的利用,是提高双面PERC电池效率的一个手段。
发明内容
本发明的目的是提供一种双面电池结构,提高了对光线的利用效率,提高了发电效率。
为解决上述技术问题,本发明实施例提供了一种双面电池结构,包括电池片主体以及设置在所述电池片主体正面的正面主栅线、正面细栅线和设置在所述电池片主体背面的背面主栅线、背面细栅线,所述正面主栅线、所述正面细栅线相交,所述背面主栅线、所述背面细栅线相交,所述背面细栅线在所述电池片主体的正面投影位于所述正面细栅线之间。
其中,所述正面主栅线、所述正面细栅线垂直相交,和/或所述背面主栅线、所述背面细栅线垂直相交。
其中,所述正面细栅线与所述背面细栅线平行。
其中,相邻所述正面细栅线等距设置,和/或所述相邻所述背面细栅线等距设置。
其中,相邻所述正面细栅线的宽度相等,和/或所述相邻所述背面细栅线的宽度相等。
其中,所述正面细栅线的宽度为10mm~20mm。
其中,所述背面细栅线的宽度为8mm~15mm。
其中,所述正面细栅线的数量为90-130。
其中,所述背面细栅线的数量为110~160。
其中,所述背面细栅线在所述电池片主体正面的投影与相邻的所述正面细栅线的距离相等。
本发明实施例所提供的双面电池结构,与现有技术相比,具有以下优点:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江西展宇新能科技有限公司,未经江西展宇新能科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010147656.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的