[发明专利]离子源引出电极系统在审
申请号: | 202010147462.1 | 申请日: | 2020-03-05 |
公开(公告)号: | CN113363127A | 公开(公告)日: | 2021-09-07 |
发明(设计)人: | 洪俊华;陈炯 | 申请(专利权)人: | 上海临港凯世通半导体有限公司;上海凯世通半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01J37/08 | 分类号: | H01J37/08;H01J37/317 |
代理公司: | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人: | 薛琦;张冉 |
地址: | 201306 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 离子源 引出 电极 系统 | ||
1.一种离子源引出电极系统,其特征在于,其包括等离子体电极和引出电极组,所述引出电机组在束流前进方向上依次包括第一地电极、抑制电极和第二地电极,其中,第一地电极和第二地电极接地,所述抑制电极接负压,所述等离子体电极接正压,所述等离子体电极和第一地电极之间的电场为引出电场,所述引出电场用于控制等离子体引出界面的曲率和形状。
2.如权利要求1所述的离子源引出电极系统,其特征在于,通过调节第一地电极和所述等离子体电极之间的间距来调节所述引出电场。
3.如权利要求1所述的离子源引出电极系统,其特征在于,第一地电极用于电场屏蔽所述等离子体电极以稳定所述引出电场。
4.如权利要求1所述的离子源引出电极系统,其特征在于,第一地电极和所述抑制电极之间的电场为电场透镜电场,第一地电极用于电场屏蔽所述抑制电极以稳定所述电场透镜电场。
5.如权利要求4所述的离子源引出电极系统,其特征在于,通过调节所述抑制电极的电压来调整引出电极组的等效电场透镜参数以控制束流的发散角。
6.如权利要求1所述的离子源引出电极系统,其特征在于,所述引出电极组在束流前进方向上是可整体平移的。
7.如权利要求6所述的离子源引出电极系统,其特征在于,第一地电极与所述抑制电极之间的间距是固定的,所述抑制电极和第二地电极之间的间距是固定的。
8.如权利要求1所述的离子源引出电极系统,其特征在于,所述抑制电极和第二地电极是固定的,第一地电极在束流前进方向上是可平移的。
9.如权利要求1-8中任意一项所述的离子源引出电极系统,其特征在于,所述抑制电极用于防止来自束流下游的电子穿越引出电极组的开孔和等离子体电极的开孔进入离子源。
10.如权利要求1-8中任意一项所述的离子源引出电极系统,其特征在于,所述等离子体引出界面的形状为在束流传输方向上束流的发散、平行或聚焦。
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