[发明专利]筛选SRAF在光刻胶上显影的光强阈值和预测其被曝光显影的风险的方法

权利要求书

1.一种筛选SRAF在光刻胶上显影的光强阈值的方法，其特征在于，包括：

S1：在测试版图上筛选出特征尺寸逐渐增大的孤立图形；

S2：利用已建好的对应的光刻工艺条件下的OPC光学模型模拟仿真计算得出光通过所筛选出的所有孤立图形各自的最大光强值Imax；以及

S3：在对应的光刻工艺条件下对测试版图掩模板进行曝光、显影，检测特征尺寸逐渐增大的孤立图形在光刻胶上的显影情况，然后筛选出特征尺寸逐渐增大的孤立图形的版图将要在光刻胶上显影出来所对应的光强值Imax，该光强值Imax即为该光刻工艺条件下SRAF在光刻胶上显影的光强阈值。

2.根据权利要求1所述的筛选SRAF在光刻胶上显影的光强阈值的方法，其特征在于，在步骤S1中，孤立图形为在一定版图面积内，仅存在一个图形的图形。

3.根据权利要求1所述的筛选SRAF在光刻胶上显影的光强阈值的方法，其特征在于，在步骤S1中，从测试版图中设计的最小特征尺寸开始筛选。

4.根据权利要求1所述的筛选SRAF在光刻胶上显影的光强阈值的方法，其特征在于，在步骤S2中，最大光强值Imax随着孤立图形的特征尺寸逐渐增大而逐渐增大。

5.根据权利要求1所述的筛选SRAF在光刻胶上显影的光强阈值的方法，其特征在于，在步骤S3中，通过关键尺寸扫描电子显微镜检测特征尺寸逐渐增大的孤立图形在光刻胶上的显影情况。

6.根据权利要求1所述的筛选SRAF在光刻胶上显影的光强阈值的方法，其特征在于，在步骤S3中，在曝光、显影之后的硅片上检测特征尺寸逐渐增大的孤立图形在光刻胶上显影的特征尺寸均匀性。

7.根据权利要求1所述的筛选SRAF在光刻胶上显影的光强阈值的方法，其特征在于，在步骤S3中，在曝光、显影之后的硅片上检测3个至5个shot特征尺寸逐渐增大的孤立图形在光刻胶上的显影情况。

8.根据权利要求1所述的筛选SRAF在光刻胶上显影的光强阈值的方法，其特征在于，步骤S3更具体的为：在对应的光刻工艺条件下对测试版图掩模板进行曝光、显影，检测特征尺寸逐渐增大的孤立图形在光刻胶上的显影情况，然后筛选出特征尺寸逐渐增大的孤立图形的版图刚好在光刻胶上显影出来所对应的第一CD值，并筛选出CD值小于该第一CD值且与该第一CD值临近的第二CD值，并将第二CD值对应的光强值作为该光刻工艺 下SRAF在光刻胶上显影的光强阈值。

9.一种预测SRAF被曝光显影的风险的方法，其特征在于，包括：将根据权利要求1所述的方法筛选出来的光强阈值作为模拟仿真过程中SRAF extraprinting的检查标准，利用OPC结果检查程序，得到SRAF在该光刻工艺条件下是否能够被曝光出来，预测不同参数的SRAF被曝光显影的风险。