[发明专利]一种甘薯脱毒种植方法

权利要求书

1.一种甘薯脱毒种植方法，其特征在于，包括以下种植步骤：

S1.甘薯秧苗培育

在前一年8月至入冬前，取壮实甘薯秧栽在培养土中于棚室里进行培育，培养至第二年3月初，将取长势良好的侧蔓作为甘薯秧苗；

S2.整体起垄

将甘薯种植田中喷洒有机肥和硫酸钙，每亩种植田中施有机肥2000-3000Kg，硫酸钙为5-10Kg，并进行翻耕起垄，垄宽为35-50cm，垄高为20-30cm，垄沟宽为50cm；

S3.秧苗移栽

于3月中上旬将甘薯秧苗移栽至甘薯种植田中，每垄栽2行，株距35-40厘米，栽苗成三角形，每亩移栽秧苗2500～3000株；然后薄膜覆盖，并用土块压实薄膜的四周，秧苗上方的薄膜留有透气孔，经秧苗抠出薄膜外，四周用细土密封，防止大风将薄膜吹起；

S4.田间管理

移栽秧苗后进行浇水，使得土壤保持湿润；

栽后3 5天进行，将死苗、病苗拔掉，补栽壮苗并施加氮肥，每亩20-30Kg；

当苗长至15-20cm时进行摘心以促进分枝，然后进行追加复合肥，每亩追加50-60Kg；

当主蔓长到50-60cm，打去未展开的嫩芽，并在分枝长到50cm时，打群顶；

定期喷洒叶面生长素，喷洒周期为10-15天，喷洒量为100-120mg/Kg；

S5.收获

甘薯在9月下旬-10月上旬开始破垄刨出，刨出的甘薯晾晒半天后清除杂物与须根，轻拿轻放防止碰破甘薯表皮。

2.根据权利要求1所述的甘薯脱毒种植方法，其特征在于，所述甘薯种子包括红薯、紫薯或白薯。

3.根据权利要求1所述的甘薯脱毒种植方法，其特征在于，步骤S1中所述培养土包括红土壤、贝壳粉、硒肥、有机肥、吲哚乙酸、腐殖酸、硫酸镁、硫酸铁。

4.根据权利要求3所述的甘薯脱毒种植方法，其特征在于，所述培养土中包括以下重量百分数的原料：

贝壳粉3.5-6.5％

硒肥0.5-1.2％

有机肥2-5％

吲哚乙酸0.2-0.5％

腐殖酸1-2％

硫酸镁0.5-1.5％

硫酸铁0.5-3.2％

其余为红土壤。

5.根据权利要求1所述的甘薯脱毒种植方法，其特征在于，步骤S4中所述的叶面生长素是由多效唑、吲哚乙酸和萘乙酸按重量比为1:2-5:3-7混合而成。