[发明专利]光掩模坯料、光掩模的制造方法、及显示装置的制造方法

权利要求书

1.一种光掩模坯料，在透明基板上具有图案形成用薄膜，其特征在于，

所述光掩模坯料为用于形成光掩模的底版，所述光掩模为通过对所述图案形成用薄膜湿法蚀刻而得到的、在所述透明基板上具有转印图案的光掩模，

所述图案形成用薄膜含有过渡金属、硅、氧、氮，通过XPS分析得到的所述氧的含有率为1原子％以上且70原子％以下，且在将所述透明基板与所述图案形成用薄膜的界面定义为通过所述XPS分析得到的所述图案形成用薄膜中包含的过渡金属的含有率为0原子％的位置时，从所述界面起向所述图案形成用薄膜的表面30nm以内的区域中，氮相对于氧的比率存在最大值。

2.如权利要求1所述的光掩模坯料，其特征在于，

所述过渡金属为钼。

3.如权利要求1或2所述的光掩模坯料，其特征在于，

所述氧的含有率为5原子％以上且70原子％以下。

4.如权利要求1或2所述的光掩模坯料，其特征在于，

所述氮的含有率为35原子％以上且60原子％以下。

5.如权利要求1或2所述的光掩模坯料，其特征在于，

所述图案形成用薄膜具有柱状结构。

6.如权利要求1或2所述的光掩模坯料，其特征在于，

所述图案形成用薄膜是具备相对于曝光用光的代表波长而透射率为1％以上且80％以下、且相位差为160°以上且200°以下的光学特性的相移膜。

7.如权利要求1或2所述的光掩模坯料，其特征在于，

在所述图案形成用薄膜上具备相对于该图案形成用薄膜而蚀刻选择性不同的蚀刻掩模膜。

8.如权利要求7所述的光掩模坯料，其特征在于，

所述蚀刻掩模膜由含有铬且实质上不含有硅的材料构成。

9.一种光掩模的制造方法，其特征在于，

具有：

准备权利要求1～6中任一项所述的光掩模坯料的工序；

在所述图案形成用薄膜上形成抗蚀膜，将由所述抗蚀膜形成的抗蚀膜图案作为掩模而对所述图案形成用薄膜进行湿法蚀刻，而在所述透明基板上形成所述转印图案的工序。

10.一种光掩模的制造方法，其特征在于，

具有：

准备权利要求7或8所述的光掩模坯料的工序；

在所述蚀刻掩模膜上形成抗蚀膜，将由所述抗蚀膜形成的抗蚀膜图案作为掩模，对所述蚀刻掩模膜进行湿法蚀刻，在所述图案形成用薄膜上形成蚀刻掩模膜图案的工序；

将所述蚀刻掩模膜图案作为掩模，对所述图案形成用薄膜进行湿法蚀刻，在所述透明基板上形成所述转印图案的工序。

11.一种显示装置的制造方法，其特征在于，

具有如下曝光工序，将通过权利要求9或10所述的光掩模的制造方法得到的光掩模载置于曝光装置的掩模工作台，将形成于所述光掩模上的所述转印图案向形成于显示装置基板上的抗蚀膜曝光转印。