[发明专利]像素驱动电路及其驱动方法、显示面板有效

专利信息
申请号: 202010099795.1 申请日: 2020-02-18
公开(公告)号: CN111292694B 公开(公告)日: 2021-06-01
发明(设计)人: 薛炎 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: G09G3/36 分类号: G09G3/36
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 远明
地址: 518132 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 像素 驱动 电路 及其 方法 显示 面板
【权利要求书】:

1.一种像素驱动电路的驱动方法,其特征在于,

所述像素驱动电路包括:

第一晶体管,所述第一晶体管的栅极连接第一节点,所述第一晶体管的源极连接第二节点,所述第一晶体管的漏极接入电源电压;

第二晶体管,所述第二晶体管的栅极接入第一扫描信号,所述第二晶体管的源极接入数据信号,所述第二晶体管的漏极连接所述第一节点;

第三晶体管,所述第三晶体管的栅极接入所述第一扫描信号,所述第三晶体管的源极接入感测信号,所述第三晶体管的漏极连接所述第二节点;

第四晶体管,所述第四晶体管的栅极接入第二扫描信号,所述第四晶体管的源极连接所述第二节点,所述第四晶体管的漏极连接第三节点;

自举电容,其一端连接所述第一节点,另一端连接所述第二节点;

储存电容,其一端连接所述第三节点,另一端连接接地电压;以及

发光元件,其阳极连接所述第三节点,其阴极连接公共电压信号;

其中所述像素驱动电路的驱动方法包括如下步骤:

初始化阶段,所述像素驱动电路被初始化;

数据输入检测阶段,所述第一晶体管的阈值电压被检测出并将所述阈值电压存储至所述储存电容上;以及

发光阶段,所述储存电容产生驱动电流并提供至所述发光元件,用于驱动所述发光元件的发光显示;

其中,在所述数据输入检测阶段包括步骤:

第一阶段,所述第一扫描信号、所述数据信号、所述电源电压、所述感测信号获取高电位,所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管均打开,所述自举电容被充电;以及

第二阶段,所述第一扫描信号由高电位降为低电位,所述第二扫描信号获取高电位,所述第二晶体管及所述第三晶体管关闭,同时所述第四晶体管打开,所述第一节点、所述第二节点及所述第三节点的电位被抬升至一驱动电压,所述储存电容被充电。

2.如权利要求1所述的一种像素驱动电路的驱动方法,其特征在于,

所述数据信号的电压为1V-10V;和/或,

所述感测信号的电压为1V;和/或,

所述电源电压为30V;和/或,

所述驱动电压为30V。

3.如权利要求1所述的一种像素驱动电路的驱动方法,其特征在于,

当所述数据输入检测阶段进入所述发光阶段时,所述第二扫描信号由高电位降为低电位,所述第四晶体管关闭,所述储存电容为所述发光元件提供恒定的驱动电流,所述发光元件持续发光。

4.如权利要求1所述的一种像素驱动电路的驱动方法,其特征在于,

在所述发光阶段,所述第一扫描信号、所述第二扫描信号、所述数据信号均获取低电位,所述发光元件发光。

5.如权利要求1所述的一种像素驱动电路的驱动方法,其特征在于,所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管为低温多晶硅晶体管、氧化物半导体晶体管或非晶硅晶体管中的任一种。

6.如权利要求1所述的一种像素驱动电路的驱动方法,其特征在于,所述第一扫描信号、所述第二扫描信号均由外部时序控制器提供。

7.如权利要求1所述的一种像素驱动电路的驱动方法,其特征在于,当所述第二扫描信号由高压降为低压时,所述第四晶体管关闭,所述储存电容为所述发光元件提供恒定的驱动电流。

8.一种显示面板,包括像素驱动电路,所述像素驱动电路采用权利要求1所述的一种像素驱动电路的驱动方法进行驱动。

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