[发明专利]一种纳米多孔三元前驱体制备方法在审
| 申请号： | 202010094599.5 | 申请日： | 2020-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN111276689A | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 岳德怀;岳波;李延俊;王俊安;刘晶晶;孙文仙 | 申请（专利权）人： | 四川新锂想能源科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01M4/505 | 分类号： | H01M4/505;H01M4/525;H01M4/485;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 宋辉 |
| 地址： | 629000 四川省遂*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 多孔 三元 前驱 体制 方法 | ||
1.一种纳米多孔三元前驱体制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将硫酸镍、硫酸钴、硫酸锰可溶性盐与纯水混合得到混合盐溶液；
(2)将混合盐溶液、氨水和液碱加入反应釜中，采用间歇性工艺控制氨值、温度、转速、游离镍和反应氛围，并且该反应分为高pH值成核阶段和低pH值生长阶段，直到浆料的D50达到合格范围；
(3)将得到的浆料经过碱洗，水洗，然后除磁、干燥、过筛后得到三元前驱体；
(4)将得到的三元前驱体装入匣钵中，然后放入烘箱中进行退火氧化工艺，得到纳米多孔三元前驱体。
2.根据权利要求1所述的一种纳米多孔三元前驱体制备方法，其特征在于，步骤(1)中混合盐溶液的浓度为1.5～2.5mol/L。
3.根据权利要求1所述的一种纳米多孔三元前驱体制备方法，其特征在于，步骤(2)中氨水的浓度为5-8mol/L，液碱的浓度为4-6mol/L。
4.根据权利要求1所述的一种纳米多孔三元前驱体制备方法，其特征在于，高pH值成核阶段的pH为11.8-12.2；低pH值生长阶段的pH为10.5-11.2。
5.根据权利要求1所述的一种纳米多孔三元前驱体制备方法，其特征在于，烘箱的温度为350℃～600℃；并且退火保温时间为4h。
6.根据权利要求1所述的一种纳米多孔三元前驱体制备方法，其特征在于，退火氧化工艺中退火结束后，通过自然降温到常温后取出匣钵，得到纳米多孔三元前驱体。
7.根据权利要求1所述的一种纳米多孔三元前驱体制备方法，其特征在于，退火氧化工艺中以1.5～3.5L/min的速度通入空气。
8.根据权利要求1所述的一种纳米多孔三元前驱体制备方法，其特征在于，退火氧化时间为3～8h。
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