[发明专利]随机存取记忆体单元及电阻式随机存取记忆体单元的操作方法

权利要求书

1.一种操作一电阻式随机存取记忆体单元的方法，其特征在于，包含：通过以下步骤对该电阻式随机存取记忆体单元进行一重置操作：

对该电阻式随机存取记忆体单元施加一第一电压偏压，其中该第一电压偏压具有一第一极性，其中该第一电压偏压的施加诱使该电阻式随机存取记忆体单元从一低电阻变为一中间电阻，并且其中该中间电阻大于该低电阻；且

对该电阻式随机存取记忆体单元施加一第二电压偏压，其中该第二电压偏压具有一第二极性，其中该第二极性与该第一极性相反，其中该第二电压偏压的一绝对值大于或等于该第一电压偏压的一绝对值，其中该第二电压偏压的施加诱使该电阻式随机存取记忆体单元具有一高电阻，其中该高电阻大于该中间电阻；

直接在施加该第二电压偏压之后，在一读取电压下量测该高电阻，其中该读取电压具有该第二极性，该读取电压的一绝对值小于该第一电压偏压的该绝对值和该第二电压偏压的该绝对值；

通过以下步骤对该电阻式随机存取记忆体单元进行一设定操作：

对该电阻式随机存取记忆体单元施加一第三电压偏压，其中该第三电压偏压具有该第二极性，其中该第三电压偏压的一绝对值大于该第二电压偏压的该绝对值，并且其中该第三电压偏压的施加诱使该电阻式随机存取记忆体单元从该高电阻变为该低电阻；以及

直接在施加该第三电压偏压之后，在该读取电压下量测该低电阻。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包含：在该读取电压下量测该中间电阻。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，其中该中间电阻具有在该读取电压下量测的对应的一第一读取电流，其中该高电阻具有在该读取电压下量测的对应的一第二读取电流，并且其中该第二读取电流至少比该第一读取电流小10％。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该第一极性为负极性，该第二极性为正极性。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包含：在该读取电压下量测该中间电阻，其中该中间电阻具有在该读取电压下量测的对应的一第一读取电流，其中该低电阻具有在该读取电压下量测的对应的一第三读取电流，并且其中该第三读取电流大于该第一读取电流。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该第二电压偏压至多为该第三电压偏压的95％。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该第一电压偏压包含一第一脉冲和一第二脉冲，其中该第一脉冲包含持续一第一时间长度的一第一重置电压，其中该第二脉冲包含持续一第二时间长度的一第二重置电压。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该第二电压偏压包含一第一脉冲和一第二脉冲，其中该第一脉冲包含持续一第一时间长度的一第一重置电压，其中该第二脉冲包含持续一第二时间长度的一第二重置电压。