[发明专利]交叉有序化银纳米线薄膜及其图案化的方法

权利要求书

1.一种交叉有序化银纳米线透明导电薄膜的制备方法，包括以下步骤：

(1)以无水乙醇为纯化溶剂，采用动态搅拌清洗方法对由多元醇还原法制备得到的AgNWs原液进行纯化，在去除AgNWs原液中含有的有机物、银纳米颗粒和短棒的同时保留AgNWs表面的PVP层，得到纯化的AgNWs；所述动态搅拌清洗方法具体为：将AgNWs原液倒入带有孔径小于银纳米线长度的滤膜和搅拌桨的纯化装置中，用无水乙醇进行稀释，转动搅拌桨，在清洗过程中，将无水乙醇慢慢滴入纯化装置中，以保持溶液恒定体积，清洗一定时间后先进行一次正压过滤，然后加入PVP水溶液，摇晃均匀后再进行一次正压过滤，收集纯化的AgNWs；

(2)将步骤(1)得到的纯化的AgNWs分散在无水乙醇中配成浓度在0.4wt％以上的AgNWs分散液；

(3)PET基材经超声清洗、表面亲水化处理、PLL水溶液旋涂改性，得到预处理后的PET基材；

(4)采用Meyer棒涂法，使用凹槽宽度小于AgNWs长度的涂膜棒将步骤(2)得到的AgNWs分散液涂覆到经步骤(3)预处理后的PET基材上，其中涂膜速度在60～120mm·s^-1之间，涂膜完成后干燥；在溶剂完全干燥后，立刻在单方向有序化的AgNWs/PET基底上以垂直于预对准方向再次按照同样方法进行涂膜，涂膜完成后干燥得到交叉有序化银纳米线透明导电薄膜。

2.如权利要求1所述的交叉有序化银纳米线透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述银纳米线直径为15-200nm，长度为20-200μm。

3.如权利要求1所述的交叉有序化银纳米线透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述银纳米线直径为15-30nm。

4.如权利要求2或3所述的交叉有序化银纳米线透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中，所述滤膜孔径为8μm，搅拌速度为900rpm，清洗时间为40min。

5.如权利要求1所述的交叉有序化银纳米线透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：步骤(2)中，AgNWs分散液的浓度为0.4wt％。

6.如权利要求1所述的交叉有序化银纳米线透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：步骤(3)中，所述的表面亲水化处理的方法采用紫外臭氧处理。

7.如权利要求1所述的交叉有序化银纳米线透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：步骤(4)中，涂膜速度为60mm s^-1。