[发明专利]多层陶瓷电子组件及其制造方法

权利要求书

1.一种多层陶瓷电子组件，包括：

陶瓷主体，包括设置为彼此面对的第一内电极和第二内电极以及介于所述第一内电极和所述第二内电极之间的介电层，

其中，当所述介电层的平均厚度表示为“td”，所述第一内电极和所述第二内电极的平均厚度表示为“te”，并且在内电极的预定区域中的多个点处测量的内电极的厚度的标准偏差表示为“σte”时，所述内电极的厚度的标准偏差与所述介电层的平均厚度的比表示为“σte/td”，“σte/td”满足0.12≤σte/td≤0.21。

2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，厚度方向被定义为所述第一内电极和所述第二内电极面对的方向，且长度方向是与所述厚度方向垂直的方向，并且

其中，td和te分别是在所述陶瓷主体的在宽度方向上的中央部分切割的长度-厚度方向截面中的介电层的平均厚度以及第一内电极和第二内电极的平均厚度，所述宽度方向是与所述厚度方向和所述长度方向垂直的方向。

3.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述第一内电极和所述第二内电极的平均厚度为0.41μm或更小。

4.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述介电层的平均厚度为0.4μm或更小。

5.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，其中，厚度方向被定义为所述第一内电极和所述第二内电极面对的方向，并且长度方向是与所述厚度方向垂直的方向，并且

其中，在所述陶瓷主体的长度-厚度方向截面中，在内电极的具有20μm×14μm的尺寸的预定区域的至少10个点测量用于σte的厚度，并且所述至少10个点的间隔为10nm或更小。

6.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件，所述多层陶瓷电子组件还包括设置在所述陶瓷主体的外表面上的外电极。

7.根据权利要求6所述的多层陶瓷电子组件，其中，所述外电极的平均厚度在10μm至50μm的范围内。

8.一种制造多层陶瓷电子组件的方法，包括以下步骤：

制备均包含陶瓷粉末的陶瓷生片；

用包含导电金属颗粒和添加剂的导电膏在每个陶瓷生片上形成内电极图案；

堆叠其上均形成有内电极图案的陶瓷生片，从而形成陶瓷层叠体；以及

烧制陶瓷层叠体以形成陶瓷主体，陶瓷主体包括至少一个介电层和至少一个内电极，

其中，当所述至少一个介电层的平均厚度表示为“td”，所述至少一个内电极的平均厚度表示为“te”，并且在内电极的预定区域中的多个点处测量的内电极的厚度的标准偏差表示为“σte”时，所述内电极的厚度的标准偏差与所述至少一个介电层的平均厚度的比表示为“σte/td”，“σte/td”满足0.12≤σte/td≤0.21。

9.根据权利要求8所述的制造多层陶瓷电子组件的方法，其中，厚度方向定义为堆叠所述陶瓷生片的方向，并且长度方向是与所述厚度方向垂直的方向；并且

其中，td和te分别是在陶瓷主体的在宽度方向上的中央部分切割的长度-厚度方向截面中的所述至少一个介电层的平均厚度和所述至少一个内电极的平均厚度，所述宽度方向是与所述厚度方向和所述长度方向垂直的方向。

10.根据权利要求8所述的制造多层陶瓷电子组件的方法，其中，所述至少一个内电极的平均厚度为0.41μm或更小。

11.根据权利要求8所述的制造多层陶瓷电子组件的方法，其中，所述至少一个介电层的平均厚度为0.4μm或更小。

12.根据权利要求8所述的制造多层陶瓷电子组件的方法，其中，厚度方向定义为堆叠所述陶瓷生片的方向，并且长度方向是与所述厚度方向垂直的方向，并且

其中，在所述陶瓷主体的长度-厚度方向截面中，在内电极的具有20μm×14μm的尺寸的预定区域的至少10个点测量用于σte的厚度，并且至少10个点的间隔为10nm或更小。