[发明专利]多晶硅制造装置以及多晶硅在审
申请号: | 202010079430.2 | 申请日: | 2020-02-04 |
公开(公告)号: | CN111560650A | 公开(公告)日: | 2020-08-21 |
发明(设计)人: | 冈田哲郎;星野成大;石田昌彦 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | C30B28/14 | 分类号: | C30B28/14;C30B29/06 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 鹿屹;李雪春 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多晶 制造 装置 以及 | ||
1.一种多晶硅制造装置,其为通过西门子法制造多晶硅的装置,其特征在于具备:
碳制芯线保持器,用于保持硅芯线;
其中,所述芯线保持器的下端侧与向所述芯线保持器通电的电极部的顶部接触;
所述芯线保持器具有螺纹连接部,用于仅将所述芯线保持器的下方侧固定至所述电极部;
所述芯线保持器与所述电极部的顶部接触的表面的电阻低于紧固所述螺纹连接部的部位的电阻。
2.如权利要求1所述的多晶硅制造装置,其特征在于,
其中,所述螺纹连接部位于所述芯线保持器与所述电极部的顶部接触的表面的下方。
3.如权利要求1所述的多晶硅制造装置,其特征在于,
其中,在所述电极部的顶部侧也设置有螺纹连接部,
所述芯线保持器与所述电极部的螺纹连接部通过由绝缘体制成的螺母部件紧固。
4.如权利要求1~3中任一项所述的多晶硅制造装置,其特征在于,
其中,所述电极部的顶部以及所述芯线保持器的与所述电极部的顶部的接触面皆为水平面。
5.如权利要求1~3中任一项所述的多晶硅制造装置,其特征在于,
在所述芯线保持器与所述电极部的顶部的接触面上插入有导电性的部件。
6.如权利要求4中所述的多晶硅制造装置,其特征在于,
在所述芯线保持器与所述电极部的顶部的接触面上插入有导电性的部件。
7.一种多晶硅,其特征在于,
所述多晶硅通过权利要求1~6中任一项所述的多晶硅制造装置制造。
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