[发明专利]超宽带低噪声放大器电路、射频装置、及射频信号处理方法

权利要求书

1.一种超宽带低噪声放大器电路，其特征在于，包括：

位于芯片外的巴伦及位于芯片内的单电感滤波匹配模块和放大模块；

其中，所述巴伦的一端连接输入信号，所述巴伦的另一端连接所述单电感滤波匹配模块的第一端，所述巴伦用于对所述输入信号执行输入输出阻抗转换然后向所述单电感滤波匹配模块输入经转换信号；

所述单电感滤波匹配模块设置在所述巴伦与所述放大模块之间，用于对所述经转换信号执行输入阻抗匹配并且为所述放大模块提供经匹配信号；

所述放大模块可操作地连接至所述单电感滤波匹配模块的第二端，用于放大所述经匹配信号并提供输出信号。

2.根据权利要求1所述的超宽带低噪声放大器电路，其特征在于，所述单电感滤波匹配模块包括：可编程电容Ct1、电感Lm和可编程电容Ct2。

3.根据权利要求2所述的超宽带低噪声放大器电路，其特征在于，所述可编程电容Ct1的一端与电感Lm的第一端相连，所述可编程电容Ct1的另一端接地；所述可编程电容Ct2的一端与所述电感Lm的第二端相连，所述可编程电容Ct2的另一端接地。

4.根据权利要求2所述的超宽带低噪声放大器电路，其特征在于，所述电感Lm的数量为一个，并且感值为1至2nH。

5.根据权利要求1所述的超宽带低噪声放大器电路，其特征在于，所述放大模块包括：可编程负反馈电阻Rf、隔直电容C1、隔直电容C2、偏置隔离电阻R1、偏置隔离电阻R2、放大PMOS管PM以及放大NNOS管NM。

6.根据权利要求5所述的超宽带低噪声放大器电路，其特征在于，所述可编程负反馈电阻Rf与所述隔直电容C1及所述隔直电容C2并联；所述负反馈电阻Rf的第一端与所述单电感滤波匹配模块的第二端相连，所述负反馈电阻Rf的第二端与所述输出信号相连；所述隔直电容C1的第一端与所述单电感滤波匹配模块的第二端相连，所述隔直电容C1的第二端与所述放大PMOS管PM相连；所述隔直电容C2的第一端与所述单电感滤波匹配模块的第二端相连，所述隔直电容C2的第二端与所述放大NMOS管NM相连；所述偏置隔离电阻R1与所述隔直电容C1的第二端相连，所述偏置隔离电阻R2与所述隔直电容C2的第二端相连。

7.根据权利要求1所述的超宽带低噪声放大器电路，其特征在于，所述输入输出阻抗转换的比例为1:4。

8.根据权利要求1所述的超宽带低噪声放大器电路，其特征在于，所述输入输出阻抗转换的比例为1:2。

9.一种射频装置，其特征在于，包含权利要求1至8中任一项所述的超宽带低噪声放大器电路。

10.一种射频信号处理方法，其特征在于，应用于权利要求1至8中任一项所述的超宽带低噪声放大器电路或权利要求9所述的射频装置，所述射频信号处理方法包括：

所述巴伦接收射频输入信号并对所述射频输入信号执行输入输出阻抗转换，得到经转换信号，然后向所述单电感滤波匹配模块提供所述经转换信号；

所述单电感滤波匹配模块接收所述经转换信号，对所述经转换信号执行输入阻抗匹配，得到经匹配信号，然后向所述放大模块提供所述经匹配信号；

所述放大模块接收和放大所述经匹配信号，然后提供射频输出信号。