[发明专利]磁阻效应元件

权利要求书

1.一种磁阻效应元件，其特征在于，

具备：

第一铁磁性层；

第二铁磁性层；以及

位于所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层之间的非磁性间隔层，

所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层中的至少一层包含具有半惠斯勒型晶体结构的金属化合物，

所述金属化合物包含功能材料和构成所述半惠斯勒型晶体结构的单位晶格的X原子、Y原子和Z原子，

所述功能材料比所述X原子、所述Y原子和所述Z原子中的任一原子的原子序数都小，

所述功能材料是选自B、C、N和F中的1种以上的原子，

所述X原子是选自Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ru、Rh、Pd、Ag、Cd、Ir、Pt、Au中的1种以上的原子，

所述Y原子是选自Ti、V、Cr、Mn、Y、Zr、Nb、Hf、Ta、Gd、Tb、Dy、Hd、Er、Fe、Tm、Yb、Lu中的1种以上的原子，

所述Z原子是选自Al、Si、Ga、Ge、As、In、Sn、Sb、Tl、Pd、Bi、Se、Te中的1种以上的原子。

2.根据权利要求1所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述金属化合物中的所述功能材料的组成比为0.1at％以上且7at％以下。

3.根据权利要求1所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述功能材料是硼，

所述金属化合物中的所述功能材料的组成比为0.1at％以上且9.8at％以下。

4.根据权利要求1所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述功能材料是碳，

所述金属化合物中的所述功能材料的组成比为0.11at％以上且8.8at％以下。

5.根据权利要求1所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述功能材料是氮，

所述金属化合物中的所述功能材料的组成比为0.09at％以上且7.2at％以下。

6.根据权利要求1所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述功能材料是氟，

所述金属化合物中的所述功能材料的组成比为0.13at％以上且7.2at％以下。

7.根据权利要求1所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述X原子是选自Ni、Pd、Pt、Co、Rh中的1种以上的原子，

所述Y原子是选自Mn、Cr、Fe、V中的1种以上的原子，

所述Z原子是选自Se、Te、Sb中的1种以上的原子。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述金属化合物具有C1_b结构或者B2结构的晶体结构。

9.根据权利要求1～7中任一项所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层中的一层包含具有半惠斯勒型晶体结构的金属化合物，另一层包含具有全惠斯勒型晶体结构的金属化合物，

所述具有全惠斯勒型晶体结构的金属化合物包含所述X原子、所述Y原子和所述Z原子。

10.根据权利要求9所述的磁阻效应元件，其特征在于，

所述具有全惠斯勒型晶体结构的金属化合物由化学式Co₂L_αM_β表示，

所述L原子包含Mn和Fe中的至少一种原子，

所述M原子包含Al、Si、Ge、Ga中的至少一种原子，

所述α满足0.7α1.6，

所述β满足0.65β1.35。

11.根据权利要求1～7中任一项所述的磁阻效应元件，其特征在于，

在所述第一铁磁性层和所述第二铁磁性层中的至少一层与所述非磁性间隔层之间具有插入层，

所述插入层具有Co、Fe或者CoFe合金。