[发明专利]电子调制装置

权利要求书

1.一种电子调制装置，其特征在于，包括：

一第一基板；

一第二基板，与所述第一基板相对设置；

一调制材料，设置于所述第一基板以及所述第二基板之间；

一缓冲层，设置于所述第一基板上，所述缓冲层包括一第一开口，所述第一开口定义所述缓冲层的一第一顶部边缘以及一第一底部边缘；

一第一电极，设置于所述缓冲层上，所述第一电极包括一第二开口，所述第二开口定义所述第一电极的一第二顶部边缘以及一第二底部边缘；以及

一有机绝缘层，设置于所述第一电极上以及所述第一开口及所述第二开口内；

其中，位于所述第二底部边缘处的所述有机绝缘层的一厚度大于位于所述第一顶部边缘处的所述有机绝缘层的一厚度。

2.如权利要求1所述的电子调制装置，其特征在于，其中位于所述第二底部边缘处的所述有机绝缘层的所述厚度大于位于所述第二顶部边缘处的所述有机绝缘层的一厚度。

3.如权利要求1所述的电子调制装置，其特征在于，其中所述第一开口包括一中心部分，且其中位于所述第一底部边缘处的所述有机绝缘层的一厚度大于位于所述中心部分处的所述有机绝缘层的一厚度。

4.如权利要求1所述的电子调制装置，其特征在于，其中位于所述第一底部边缘处的所述有机绝缘层的一厚度大于位于所述第一顶部边缘处的所述有机绝缘层的所述厚度。

5.如权利要求1所述的电子调制装置，其特征在于，其中所述第二底部边缘与所述第一顶部边缘之间的一距离的范围为1微米至50微米。

6.如权利要求1所述的电子调制装置，其特征在于，其中所述第二开口的一宽度大于所述第一开口的一宽度。

7.如权利要求3所述的电子调制装置，其特征在于，其中位于所述第一开口内的所述有机绝缘层的一厚度朝着所述中心部分逐渐减小。

8.如权利要求1所述的电子调制装置，其特征在于，更包括：

一第二电极，设置于所述调制材料以及所述第二基板之间，其中所述第二电极重叠于所述第一开口以及所述第二开口。

9.如权利要求1所述的电子调制装置，其特征在于，其中位于所述第一顶部边缘处的所述有机绝缘层的所述厚度与位于所述第二底部边缘处的所述有机绝缘层的所述厚度的比值大于0且小于或等于0.4。

10.如权利要求2所述的电子调制装置，其特征在于，其中位于所述第二顶部边缘处的所述有机绝缘层的所述厚度与位于所述第二底部边缘处的所述有机绝缘层的所述厚度的比值大于0且小于或等于0.4。

11.如权利要求3所述的电子调制装置，其特征在于，其中位于所述中心部分处的所述有机绝缘层的所述厚度与位于所述第一底部边缘处的所述有机绝缘层的所述厚度的比值大于0且小于或等于0.3。

12.如权利要求4所述的电子调制装置，其特征在于，其中位于所述第一顶部边缘处的所述有机绝缘层的所述厚度与位于所述第一底部边缘处的所述有机绝缘层的所述厚度的比值大于0且小于或等于0.3。