[发明专利]光波导集成器件

权利要求书

1.一种光波导集成器件，所述光波导集成器件包括：

衬底；

第一隔离层，位于衬底上；

光波导构件，至少部分地嵌入第一隔离层中并与衬底分隔开；

过渡层，设置在第一隔离层和光波导构件上；以及

光调制层，设置在过渡层上并且与光波导构件的顶表面叠置，

其中，过渡层的位于光调制层与第一隔离层之间的部分和过渡层的位于光调制层与光波导构件之间的部分具有不同的成分，

其中，过渡层的位于光调制层与光波导构件之间的部分还包括N元素，并且N元素的含量从过渡层到光调制层逐渐减小。

2.根据权利要求1所述的光波导集成器件，所述光波导集成器件还包括附加隔离层，所述附加隔离层设置在衬底与第一隔离层之间，

其中，附加隔离层包括具有不同折射率且彼此交替堆叠的多个子隔离层。

3.根据权利要求1所述的光波导集成器件，所述光波导集成器件还包括：

有源层，设置在衬底与光波导构件之间；以及

第二隔离层，设置在衬底与有源层之间，

其中，有源层的一个端部与光波导构件的一个端部彼此叠置。

4.根据权利要求3所述的光波导集成器件，其中，当在平面图中观看时，有源层的所述一个端部在朝向光波导构件的方向上具有逐渐减小的宽度。

5.根据权利要求3所述的光波导集成器件，其中，有源层包括GaAs、InP、AlAs、AlGaAs、AlGaAsP、GaAsP和InGaAsP中的至少一种。

6.根据权利要求3所述的光波导集成器件，其中，第二隔离层包括具有不同折射率且彼此交替堆叠的多个子隔离层。

7.根据权利要求2所述的光波导集成器件，其中，所述多个子隔离层中的每个子隔离层的折射率小于光调制层的折射率或光波导构件的折射率。

8.根据权利要求7所述的光波导集成器件，其中，所述多个子隔离层包括第一子隔离层和第二子隔离层，并且

其中，第一子隔离层包括SiO₂，且第二子隔离层包括Si₃N₄。

9.根据权利要求2所述的光波导集成器件，所述光波导集成器件还包括设置在衬底的与顶表面背对的底表面上的补偿层，并且补偿层具有与附加隔离层相同结构。

10.根据权利要求1所述的光波导集成器件，其中，光调制层还与第一隔离层的顶表面的至少一部分叠置。

11.根据权利要求1所述的光波导集成器件，其中，光调制层与光波导构件具有相同的形状。

12.根据权利要求1所述的光波导集成器件，其中，当在剖面图中观看时，光波导构件的底表面和侧表面被第一隔离层包覆，光波导构件的顶表面由第一隔离层暴露且与第一隔离层的顶表面位于同一水平处。

13.根据权利要求1所述的光波导集成器件，其中，光波导构件的厚度为50nm至2μm，且光波导构件的宽度为50nm至20μm。

14.根据权利要求1所述的光波导集成器件，其中，光调制层包括铌酸锂、钽酸锂、石英、磷化铟、KDP、DKDP、KTP或RTP。

15.根据权利要求14所述的光波导集成器件，其中，光波导构件包括硅、SiO_x或SiN_y。

16.根据权利要求15所述的光波导集成器件，其中，光波导构件包括Si₃N₄。